продукты Поставщики Sign in Register

CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Tip Power Transistors /

Высокая эффективность низкопробного напряжения тока 6В излучателя переключателя транзистора Д882М НПН

Категории продукта

Транзистор силы Mosfet

 [236]

Транзисторы силы подсказки

 [60]

Транзистор силы кремния

 [38]

Двойной переключая диод

 [30]

Транзистор влияния поля Mos

 [58]

Удваивает - Mosfet канала

 [20]

Быстрый диод выпрямителя тока спасения

 [12]

Стабилитрон силы

 [12]

Выпрямитель по мостиковой схеме Schottky

 [20]

Высоковольтный диод выпрямителя тока

 [30]

Триод полупроводника

 [18]

Стабилизатор IC напряжения тока

 [28]
контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контактная информация
контакт
China Высокая эффективность низкопробного напряжения тока 6В излучателя переключателя транзистора Д882М НПН wholesale
  • China Высокая эффективность низкопробного напряжения тока 6В излучателя переключателя транзистора Д882М НПН wholesale

Высокая эффективность низкопробного напряжения тока 6В излучателя переключателя транзистора Д882М НПН
Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :Д882М
Напряжение тока ВолтагеКоллектор-основания коллектора- база :40V
Напряжение тока коллектор- эмиттера :30В
напряжение тока Излучател-основания :6v
Транзистор Mosfet силы :ТО-252-2Л Пластмасс-помещают
Тип :тип триода полупроводника
Использование :Электронные блоки
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТО-252-2Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов Д882М (НПН)

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
 


Диссипация силы

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
 

 

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база 40 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера 30 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания 6 В
ИК Течение сборника - непрерывное 3 А
ПК Диссипация силы сборника 1,25 В
ТДж Температура соединения 150 ℃
Цтг Температура хранения -55-150 ℃

 
 
 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО Ик = 100μА, Т.Е. =0 40     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) Ик = 10мА, ИБ=0 30     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. = 100μА, ИК=0 6     В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ= 40 В, Т.Е. =0     1 µА
Течение выключения сборника ИКЭО ВКЭ= 30 В, ИБ=0     10 µА
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ= 6 В, ИК=0     1 µА
Увеличение ДК настоящее хФЭ ВКЭ= 2 в, ИК= 1А 60   400  
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК= 2А, ИБ= 0,2 а     0,5 В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя (Сидеть) ВБЭ ИК= 2А, ИБ= 0,2 а     1,5 В

 

Частота перехода

 

фт

ВКЭ= 5В, ИК=0.1А

ф =10МХз

  

 

90

  

 

МХз

 
  

КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(2)

Ряд Р О И ГР
Ряд 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Типичные характеристики

 

 
 Высокая эффективность низкопробного напряжения тока 6В излучателя переключателя транзистора Д882М НПНВысокая эффективность низкопробного напряжения тока 6В излучателя переключателя транзистора Д882М НПНВысокая эффективность низкопробного напряжения тока 6В излучателя переключателя транзистора Д882М НПНВысокая эффективность низкопробного напряжения тока 6В излучателя переключателя транзистора Д882М НПН
 

 Размеры плана пакета
 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минимальный. Макс. Минимальный. Макс.
А 2,200 2,380 0,087 0,094
А1 0,000 0,100 0,000 0,004
Б 0,800 1,400 0,031 0,055
б 0,710 0,810 0,028 0,032
к 0,460 0,560 0,018 0,022
к1 0,460 0,560 0,018 0,022
Д 6,500 6,700 0,256 0,264
Д1 5,130 5,460 0,202 0,215
Э 6,000 6,200 0,236 0,244
е 2,286 ТИП. 0,090 ТИПА.
е1 4,327 4,727 0,170 0,186
М 1.778РЭФ. 0.070РЭФ.
Н 0.762РЭФ. 0.018РЭФ.
Л 9,800 10,400 0,386 0,409
Л1 2.9РЭФ. 0.114РЭФ.
Л2 1,400 1,700 0,055 0,067
В 4,830 РЭФ. 0,190 РЭФ.
ĭ 1,100 1,300 0,043 0.0±1

 
 

 
 

Метки товара:

updated power transistor npn

high power npn transistor

high voltage transistor switch
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4