CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Tip Power Transistors /

Транзистор НПН транзисторов силы 3ДД13002 ТО-252Тип

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Транзистор НПН транзисторов силы 3ДД13002 ТО-252Тип

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :3DD13002
Температура хранения :-55~150℃
TJ :℃ 150
Диссипация силы сборника :1.25W
Название продукта :тип триода полупроводника
Течение сборника :3.5A
Тип :Транзистор триода
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТО-251-3Л/ТО-252-2Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 3ДД13002 (НПН)

 

ОСОБЕННОСТЬ
 

Применения переключения силы

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)

 

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база 600 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера 400 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания 6 В
ИК Течение сборника - непрерывное 1 А
ПК Диссипация силы сборника 1,25 В
ТДж Температура соединения 150
Цтг Температура хранения -55~150

 

 

 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное


 

Животики =25 Š если не указано иное

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК= 100μА, Т.Е. =0 600     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) ИК= 1мА, ИБ=0 400     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. = 100μА, ИК=0 6     В

 

Течение выключения сборника

ИКБО ВКБ= 600В, Т.Е. =0     100 µА
  ИКЭО ВКБ= 400В, Т.Е. =0     100 µА
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ= 7В, ИК=0     100 µА

 

Увеличение Дк настоящее

хФЭ1 ВКЭ= 10 в, ИК= 200мА 9   40  
  хФЭ2 ВКЭ= 10 в, ИК= 0.25мА 5      
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера В (сидеть)КЭ ИК=200мА, ИБ= 40мА     0,5 В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя В (сидеть) ИК=200мА, ИБ= 40мА     1,1 В

 

Частота перехода

 

фт

ВКЭ=10В, ИК=100мА

ф =1МХз

 

5

   

 

МХз

Время падения тф ИК=1А, ИБ1=-ИБ2=0.2А ВКК=100В     0,5 µс
Продолжительность хранения тс       2,5 µс

 

 

КЛАССИФИКАЦИЯ хФЭ1

Ряд 9-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 


Типичные характеристики

 

 Транзистор НПН транзисторов силы 3ДД13002 ТО-252ТипТранзистор НПН транзисторов силы 3ДД13002 ТО-252ТипТранзистор НПН транзисторов силы 3ДД13002 ТО-252ТипТранзистор НПН транзисторов силы 3ДД13002 ТО-252Тип
 

 

Размеры плана пакета ТО-92

 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минимальный. Макс. Минимальный. Макс.
А 2,200 2,400 0,087 0,094
А1 1,050 1,350 0,042 0,054
Б 1,350 1,650 0,053 0,065
б 0,500 0,700 0,020 0,028
б1 0,700 0,900 0,028 0,035
к 0,430 0,580 0,017 0,023
к1 0,430 0,580 0,017 0,023
Д 6,350 6,650 0,250 0,262
Д1 5,200 5,400 0,205 0,213
Э 5,400 5,700 0,213 0,224
е 2,300 ТИП. 0,091 ТИПА.
е1 4,500 4,700 0,177 0,185
Л 7,500 7,900 0,295 0,311

 

 

Транзистор НПН транзисторов силы 3ДД13002 ТО-252Тип

 

 

Запрос Корзина 0