CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Tip Power Transistors /

Переключатель транзистора 3ДД13003 НПН, диссипация сборника транзисторов 1.25В серии подсказки

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Переключатель транзистора 3ДД13003 НПН, диссипация сборника транзисторов 1.25В серии подсказки

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :3DD13003
ВКБО :700V
ВКЭО :400V
напряжение тока Излучател-основания :9V
Название продукта :тип триода полупроводника
Диссипация сборника :1.25W
Тип :Транзистор триода
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТО-251-3Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 3ДД13003 (НПН)

 

ОСОБЕННОСТЬ
 

Применения переключения силы

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)

 

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база 700 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера 400 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания 9 В
ИК Течение сборника - непрерывное 1,5 А
ПК Диссипация сборника 1,25 В
ТДЖ, Цтг Температура соединения и хранения -55~+150

 

 

 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное


 

Животики =25 Š если не указано иное

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО Ик= 1мА, ИЭ=0 700     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) Ик= 10 мам, ИБ=0 400     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. = 1мА, ИК=0 9     В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ= 700В, Т.Е. =0     1 мамы
Течение выключения сборника ИКЭО ВКЭ= 400В, ИБ=0     0,5 мамы
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ= 9 В, ИК=0     1 мамы

 

Увеличение ДК настоящее

хФЭ (1) ВКЭ= 5 В, ИК= 0,5 А 8   40  
  хФЭ (2) ВКЭ= 5 в, ИК= 1.5А 5      
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК=1А, мамы ИБ= 250     0,6 В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя (Сидеть) ВБЭ ИК=1А, ИБ= 250мА     1,2 В
напряжение тока Основани-излучателя ВБЭ ИЭ= 2А     3 В

 

Частота перехода

 

фТ

ВКЭ=10В, Ик=100мА

ф =1МХз

 

5

   

 

МХз

Время падения тф ИК=1А, ИБ1=-ИБ2=0.2А ВКК=100В     0,5 µс
Продолжительность хранения тс ИК=250мА 2   4 µс

 

 

КЛАССИФИКАЦИЯ хФЭ1

Ряд              
Ряд 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

КЛАССИФИКАЦИЯ тС

 

Ряд А1 А2 Б1 Б2
Ряд 2-2.5 (μс) 2.5-3 (μс) 3-3.5 (μс) 3.5-4 (μс)
         

 


Типичные характеристики

 

 Переключатель транзистора 3ДД13003 НПН, диссипация сборника транзисторов 1.25В серии подсказкиПереключатель транзистора 3ДД13003 НПН, диссипация сборника транзисторов 1.25В серии подсказкиПереключатель транзистора 3ДД13003 НПН, диссипация сборника транзисторов 1.25В серии подсказки
 

 

Размеры плана пакета ТО-92

 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минимальный. Макс. Минимальный. Макс.
А 2,200 2,400 0,087 0,094
А1 1,050 1,350 0,042 0,054
Б 1,350 1,650 0,053 0,065
б 0,500 0,700 0,020 0,028
б1 0,700 0,900 0,028 0,035
к 0,430 0,580 0,017 0,023
к1 0,430 0,580 0,017 0,023
Д 6,350 6,650 0,250 0,262
Д1 5,200 5,400 0,205 0,213
Э 5,400 5,700 0,213 0,224
е 2,300 ТИП. 0,091 ТИПА.
е1 4,500 4,700 0,177 0,185
Л 7,500 7,900 0,295 0,311

 

 

 

 

 

Запрос Корзина 0