CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Tip Power Transistors /

Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :3ДД13002Б
ВКБО :600v
ВКЭО :400V
Напряжение тока коллектора- база :6v
Название продукта :тип триода полупроводника
Транзистор Mosfet силы :ТО-92 Пластмасс-помещают
Тип :Транзистор триода
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТО-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 3ДД13002Б (НПН)

 

ОСОБЕННОСТЬ
 

Применения переключения силы

 

 

ОТМЕЧАТЬ

код 13002Б=Девисе

Твердое тело дот=Грен прибор литьевой массы, если никакой, нормальный прибор

ССС=Коде

 

Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое

 

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Номер детали Пакет Способ уплотнения прокладками Количество пакета
3ДД13002Б ТО-92 Большая часть 1000пкс/Баг
3ДД13002Б-ТА ТО-92 Лента 2000пкс/Бокс


 

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)

 

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база 600 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера 400 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания 6 В
ИК Течение сборника - непрерывное 0,8 А
ПК Диссипация силы сборника 0,9 В
ТДж Температура соединения 150
Цтг Температура хранения -55 | 150

 

 

 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное


 

 

Параметр

Символ Условия испытаний Минута Тип Макс

 

Блок

Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК=100μА, Т.Е. =0 600     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) ИК=1мА, ИБ=0 400     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. = 100μА, ИК=0 6     В

 

Течение выключения сборника

ИКБО ВКБ= 600В, Т.Е. =0     100 µА
  ИКЭО ВКЭ= 400В, ИБ=0     100 µА
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ= 6 В, ИК=0     100 µА

 

Увеличение Дк к уррент

хФЭ1 ВКЭ= 10 в, ИК=200мА 9   40  
  хФЭ2 ВКЭ= 10 в, ИК=0.25мА 5      
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК=200мА, ИБ=40мА     0,5 В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя (Сидеть) ВБЭ ИК=200мА, ИБ=40мА     1,1 В

 

Частота перехода

 

фт

ВКЭ=10В, ИК=100мА

ф =1МХз

 

5

   

 

МХз

Время падения тф

 

ИК=1А, ИБ1=-ИБ2=0.2А ВКК=100В

    0,5 µс
Продолжительность хранения тс       2,5 µс

 
  

КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(2)

Ряд 9-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

 

Типичные характеристики

Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкоеНапряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкоеНапряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкоеНапряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое

 

Размеры плана пакета ТО-92

 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
А 3,300 3,700 0,130 0,146
А1 1,100 1,400 0,043 0,055
б 0,380 0,550 0,015 0,022
к 0,360 0,510 0,014 0,020
Д 4,300 4,700 0,169 0,185
Д1 3,430   0,135  
Э 4,300 4,700 0,169 0,185
е 1,270 ТИП 0,050 ТИПА
е1 2,440 2,640 0,096 0,104
Л 14,100 14,500 0,555 0,571
Φ   1,600   0,063
х 0,000 0,380 0,000 0,015

 

Запрос Корзина 0