CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Tip Power Transistors /

Цепь транзистора Д965 НПН, высокая эффективность транзистора силы НПН 

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Цепь транзистора Д965 НПН, высокая эффективность транзистора силы НПН 

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :D965
ВКБО :42V
ВКЭО :22v
ВЭБО :6v
Название продукта :тип триода полупроводника
Диссипация силы сборника :750mW
TJ :150Š
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТО-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов Д965 (НПН)

 

 

ОСОБЕННОСТЬ

Усилитель Ÿ аудио

Блок вспышки Ÿ камеры

Цепь переключения Ÿ

 

 

ОТМЕЧАТЬ

 

Код Д965=Девисе

Твердое тело дот=Грен прибор литьевой массы,

если никакой, нормальный прибор

З=Ранк хФЭ, ССС=Коде

 

Цепь транзистора Д965 НПН, высокая эффективность транзистора силы НПН 

 

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Номер детали Пакет Способ уплотнения прокладками Количество пакета
Д965 ТО-92 Большая часть 1000пкс/Баг
Д965-ТА ТО-92 Лента 2000пкс/Бокс


 

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)

 

Символ Метр Пара Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база 42 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера 22 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания 6 В
ИК Течение сборника - непрерывное 5 А
ПД Диссипация силы сборника 750 мВ
Р0 ДЖА Восходящий поток теплого воздуха сопротивляется соединению ром ф ансе к окружающему 166,7 Š/В
Тдж Температура соединения 150 Š
Цтг Температура ораге Ст -55 ~+150 Š

 

 

 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное


 

 

Параметр Символ Условия испытаний МИНУТА ТИП МАКС БЛОК
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК=0.1мА, Т.Е. =0 42     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) ИК=1мА, ИБ=0 22     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. = 10µА, ИК=0 6     В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ=30В, Т.Е. =0     0,1 µА
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ=6В, ИК=0     0,1 µА

 

Увеличение ДК настоящее

хФЭ (1) ВКЭ=2В, ИК= 0,15 мамы 150      
хФЭ (2) ВКЭ= 2В, Ик = 500 мам 340   2000  
хФЭ (3) ВКЭ=2В, Ик = 2А 150      
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК=3000мА, мамы ИБ=100     0,35 В
Частота перехода фт ВКЭ=6В, ИК=50мА, ф=30МХз   150   МХз

 
  

КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(2)

Ряд Р Т В
Ряд 340-600 560-950 900-2000

 

 

 

 

Типичные характеристики

 

Цепь транзистора Д965 НПН, высокая эффективность транзистора силы НПН Цепь транзистора Д965 НПН, высокая эффективность транзистора силы НПН Цепь транзистора Д965 НПН, высокая эффективность транзистора силы НПН Цепь транзистора Д965 НПН, высокая эффективность транзистора силы НПН 

 
 

 Размеры плана пакета
 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
А 3,300 3,700 0,130 0,146
А1 1,100 1,400 0,043 0,055
б 0,380 0,550 0,015 0,022
к 0,360 0,510 0,014 0,020
Д 4,300 4,700 0,169 0,185
Д1 3,430   0,135  
Э 4,300 4,700 0,169 0,185
е 1,270 ТИП 0,050 ТИПА
е1 2,440 2,640 0,096 0,104
Л 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
х 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Запрос Корзина 0