ТО-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов А94 (ПНП)
ОСОБЕННОСТЬ
Высокое пробивное напряжение
ОТМЕЧАТЬ
Код А94=Девисе
Твердое тело дот=Грен прибор литьевой массы, если никакой, нормальный прибор
З=Ранк хФЭ
ССС=Коде
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
| Номер детали |
Пакет |
Способ уплотнения прокладками |
Количество пакета |
| А94 |
ТО-92 |
Большая часть |
1000пкс/Баг |
| А94-ТА |
ТО-92 |
Лента |
2000пкс/Бокс |
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
| Символ |
Параметр |
Значение |
Блок |
| ВКБО |
Напряжение тока ектор-основания Колл |
-400 |
В |
| ВКЭО |
Напряжение тока ектор-излучателя Колл |
-400 |
В |
| ВЭБО |
Напряжение тока Излучател-основания |
-5 |
В |
| ИК |
Течение ектор Колл - непрерывное |
-0,2 |
А |
| ИКМ |
Пульсированное течение ектор Колл - |
-0,3 |
А |
| ПК |
Диссипация силы ектор Колл |
625 |
мВ |
| РθДжА |
Восходящий поток теплого воздуха сопротивляется ансе от соединения к окружающему |
200 |
℃ /W |
| ТДж |
Температура соединения |
150 |
℃ |
| Цтг |
Температура хранения |
-55~+150 |
℃ |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Животики =25 Š если не указано иное
| Параметр |
Символ |
Условия испытаний |
Минута |
Тип |
Макс |
Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база |
В (БР) КБО |
ИК=-100ΜА, Т.Е. =0 |
-400 |
|
|
В |
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера |
ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) |
ИК=-1мА, ИБ=0 |
-400 |
|
|
В |
| пробивное напряжение Излучател-основания |
В (БР) ЭБО |
Т.Е. =-100ΜА, ИК=0 |
-5 |
|
|
В |
| Течение выключения сборника |
ИКБО |
ВКБ=-400В, Т.Е. =0 |
|
|
-0,1 |
μА |
| Течение выключения сборника |
ИКЭО |
ВКЭ=-400В, ИБ=0 |
|
|
-5 |
μА |
| Течение выключения излучателя |
ИЭБО |
ВЭБ=-4В, ИК=0 |
|
|
-0,1 |
μА |
|
Увеличение ДК настоящее
|
хФЭ (1) |
ВКЭ=-10В, ИК=-10мА |
80 |
|
300 |
|
| хФЭ (2) |
ВКЭ=-10В, ИК=-1мА |
70 |
|
|
|
| хФЭ (3) |
ВКЭ=-10В, ИК=-100мА |
60 |
|
|
|
| хФЭ (4) |
ВКЭ=-10В, ИК=-50мА |
80 |
|
|
|
|
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера
|
(Сидеть) ВКЭ (1) |
ИК=-10мА, ИБ=-1мА |
|
|
-0,2 |
В |
| (Сидеть) ВКЭ (2) |
ИК=-50мА, ИБ=-5мА |
|
|
-0,3 |
В |
| напряжение тока сатурации Основани-излучателя |
(Сидеть) ВБЭ |
ИК=-10мА, ИБ=-1мА |
|
|
-0,75 |
В |
| Частота перехода |
фт |
ВКЭ=-20В, ИК=-10мА, ф=30МХз |
50 |
|
|
МХз |
КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(2)
| РЯД |
А |
Б |
К |
| РЯД |
80-100 |
100-200 |
200-300 |
Типичные характеристики
Размеры плана пакета
| Символ |
Размеры в миллиметрах |
Размеры в дюймах |
| |
Минута |
Макс |
Минута |
Макс |
| А |
3,300 |
3,700 |
0,130 |
0,146 |
| А1 |
1,100 |
1,400 |
0,043 |
0,055 |
| б |
0,380 |
0,550 |
0,015 |
0,022 |
| к |
0,360 |
0,510 |
0,014 |
0,020 |
| Д |
4,300 |
4,700 |
0,169 |
0,185 |
| Д1 |
3,430 |
|
0,135 |
|
| Э |
4,300 |
4,700 |
0,169 |
0,185 |
| е |
1,270 ТИП |
0,050 ТИПА |
| е1 |
2,440 |
2,640 |
0,096 |
0,104 |
| Л |
14,100 |
14,500 |
0,555 |
0,571 |
| 0 |
|
1,600 |
|
0,063 |
| х |
0,000 |
0,380 |
0,000 |
0,015 |
