CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Транзистор силы Mosfet /

Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :ВСФ6012
Название продукта :транзистор силы mosfet
Температура соединения :150℃
Материал :кремний
Случае :Лента/поднос/вьюрок
Тип :Транзистор Mosfet
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта
КМ4803Д Н-Ч и МОСФЭТ П-канала
 

 

Описание

 

ВСФ6012 высокий класс исполнения

МОСФЭТ Н-ч и П-ч канавы с крайностью

высокая плотность клеток, которая обеспечивают превосходное

РДСОН и ворота поручают для большего части из

одновременные применения конвертера самца оленя.

 

Встреча ВСФ6012 РоХС и зеленый цвет

Требование к продукта, 100% ЭАС

гарантированный с полной надежностью функции

одобренный.

 

 

Особенности
 
выдвинутая з высокая технология канавы плотности клеток
обязанность ворот з супер низкая
спад влияния з превосходный КдВ/дт
з гарантированное 100% ЭАС
прибор зеленого цвета з доступный

 

 

Применения

 

  • конвертер самца оленя высокочастотной Пункт--нагрузки з одновременный для МБ/НБ/УМПК/ВГА
  • электрическая система сети ДК-ДК з
  • инвертор бак-лигхт з ККФЛ

 

 

Продукт Суммеры
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая
 
 
 
Абсолютный максимум оценок

 

Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая

 

 

Тепловые данные
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая
 
 
Характеристики Н-канала электрические (℃ ТДЖ=25, если не указано иное)
 
 Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая
 
 
 
Гарантированные характеристики лавины
 
 
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая
 
 
Характеристики диода
 
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая
 
 
Примечание:
1. Данные испытали поверхностью установленной на 1 доске инч2 ФР-4 с медью 2ОЗ.
2. Данные испытали пульсированный, ≦ 300ус ширины ИМПа ульс, ≦ 2% круга обязаностей
3. Диссипация силы ограничена температурой соединения 150℃
4. Данные теоретически это же какое ИД и ИДМ, в реальных применениях, должны быть ограничены диссипацией полной силы.
 
 
Характеристики П-канала электрические (℃ ТДЖ=25, если не указано иное)
 
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая
 
Гарантированные характеристики лавины
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая
 
 
Характеристики диода
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая
 
 
Примечание:
1. Данные испытали поверхностью установленной на 1 инч2
Доска ФР-4 с медью 2ОЗ.
2. Данные испытали пульсированный, ≦ 300ус ширины ИМПа ульс, ≦ 2% круга обязаностей
3. Диссипация силы ограничена данными по температуры соединения 150℃ 4.Тхэ теоретически это же какое ИД и ИДМ, в реальных применениях, должны быть ограничены диссипацией полной силы.
 
 
Характеристики Н-канала типичные
 
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкаяОбязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкаяОбязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкаяОбязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая
 
 
 
Характеристики П-канала типичные
 
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкаяОбязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкаяОбязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкаяОбязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая
 
 
Запрос Корзина 0