CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Транзистор силы Mosfet /

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :ВСТ3078
Название продукта :транзистор силы mosfet
Особенности :Поверхностный пакет держателя
Удостоверение личности :20А
ВГС :-10В
Применения :Управление силы
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта
МОСФЭТ режима повышения 20Г04ГД 40В Н+П-Чаннел
 

 

Описание

 

Канава 20Г04ГД выдвинутая пользами 

технология для того чтобы обеспечить превосходный рДС(ДАЛЬШЕ)

и низкая обязанность ворот. Этот прибор

соответствующий для пользы как переключатель нагрузки или внутри

Применения ПВМ.

 

 

ОБЩИЕ ОСОБЕННОСТИ
Н-КХ ВДС =-40В, ИД =20А РДС (ДАЛЬШЕ) < 25m="">
 
Применение
Применения ПВМ
Переключатель нагрузки
Управление силы
 
 
Маркировка и упорядочение информации пакета
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В
 

Абсолютный максимум Ratings@T =25оК (если не указано иное)

 

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В

Н-КХ электрическое Чарактеристикс@ т =25оК (если не указано иное)

 

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В

П-КХ электрическое Characteristics@T =25оК (если не указано иное)

 

 

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В

 
 
П-КХ электрическое Characteristics@T =25оК (если не указано иное)
 
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В
 
 
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В
 
 
 
 
 
Запрос Корзина 0