CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Транзистор силы Mosfet /

МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :ХСИ4606
Название продукта :транзистор силы mosfet
ВДС :30В
РДС (ДАЛЬШЕ) :< 30m="">
Номер модели ВДС :ХСИ4606
Особенности :Поверхностный пакет держателя
Случае :Лента/поднос/вьюрок
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

МОСФЭТ ХСИ4606 30В комплементарный

 

 

Описание

 

Выдвинутые пользы ХСИ4606 вскапывают течнологыМОСФЭЦ для того чтобы обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ) и низкое гатечарге. Комплементарные МОСФЭЦ могут быть используемым тоформ переключатель перенесенный уровнем высокий бортовой, и для применений офотер хозяина.

 

 

МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м

 

 

Характеристики Н-КХ электрические (в противном случае замеченные ТА=25℃уньлесс)

 

МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м

 

А. Значение θДЖА р измерено с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с 2оз. Омедняйте, в неподвижной окружающей среде воздуха с Та =25°К.

значение в любом, который дали применении зависит от дизайна доски потребителя специфического.

Б. Диссипация силы пд основана на тдж(МАКСЕ) =150°К, используя сопротивление ≤ 10с соединени-к-окружающее термальное. К. повторяющийся оценка, ширина ИМПа ульс ограничиваемая оценками температуры соединения тдж(МАКСА) =150°К. основана на низкочастотном и кругах обязаностей для того чтобы держать инитялТДЖ=25°К.

Д. ΘДЖА р сумма термального импеданса от соединения для того чтобы привестиθДЖЛ р и привести к окружающему.

Э. Статические характеристики в диаграммах 1 до 6 получены используя <300>

Ф. Эти кривые основаны на соединени-к-окружающем термальном импедансе который измерен с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с 2оз. Омедняйте, принимающ что максимальная температура соединения тдж(МАКСА) =150°К. кривая СОА обеспечивает одиночную оценку ИМПа ульс.

 

 

Н-канал: ТИПИЧНАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ И ТЕРМАЛЬНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
 
МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30мМОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30мМОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30мМОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30мМОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30мМОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30мМОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30мМОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м
 
 
Характеристики П-канала электрические (ТДЖ=25°К если не указано иное)
 
МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м
 
А. Значение РθДжА измерено с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с 2оз. Омедняйте, в неподвижной окружающей среде воздуха с ЖИВОТИКАМИ =25°К.
значение в любом, который дали применении зависит от дизайна доски потребителя специфического.
Б. ПД диссипации силы основан на ТДЖ (МАКСЕ) =150°К, используя сопротивление ≤ 10с соединени-к-окружающее термальное.
К. повторяющийся оценка, ширина ИМПа ульс ограничиваемая оценками температуры соединения ТДЖ (МАКСА) =150°К. основана на низкочастотном и кругах обязаностей для того чтобы держать
инитялТДж=25°К.
Д. РθДжА сумма термального импеданса от соединения для того чтобы привести РθДжЛ и привести к окружающему.
Э. Статические характеристики в диаграммах 1 до 6 получены используя <300>
Ф. Эти кривые основаны на соединени-к-окружающем термальном импедансе которым измеряет с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с
2оз. Омедняйте, принимающ что максимальная температура соединения ТДЖ (МАКСА) =150°К. кривая СОА обеспечивает одиночную оценку ИМПа ульс.
 
 
ЭТОТ ПРОДУКТ БЫЛ КОНСТРУИРОВАН И БЫЛ КВАЛИФИЦИРОВАН ДЛЯ ПОТРЕБИТЕЛЬСКОГО РЫНКА. НЕ УТВЕРЖДЕНЫ ПРИМЕНЕНИЯ ИЛИ ПОЛЬЗЫ КАК КРИТИКАЛКОМПОНЭНТС В ПРИБОРАХ ИЛИ СИСТЕМАХ ИСКУССТВЕННОГО ЖИЗНЕОБЕСПЕЧЕНИЯ. АОС НЕ ПРИНИМАЕТ НИКАКОЙ ПАССИВ АРИСИНОУТ ТАКИХ ПРИМЕНЕНИЙ ИЛИ ПОЛЬЗ СВОИХ ПРОДУКТОВ. АОС РЕЗЕРВИРУЕТ ПРАВО УЛУЧШИТЬ ОФОРМЛЕНИЕ ИЗДЕЛИЯ, ФУНКЦИИ И НАДЕЖНОСТЬ БЕЗ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО УВЕДОМЛЕНИЯ.
 
 
П-канал: ТИПИЧНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
 
 
МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30мМОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30мМОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30мМОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30мМОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30мМОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м
 
 
 
 
 
Запрос Корзина 0