CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Транзистор силы Mosfet /

Высокое напряжение ВДС 40В ВГС ±20в транзистора силы ±20в Мосфет ХСИ4616 ВГС

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Высокое напряжение ВДС 40В ВГС ±20в транзистора силы ±20в Мосфет ХСИ4616 ВГС

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :ХСИ4616
Название продукта :транзистор силы mosfet
Тип :Транзистор Mosfet
Удостоверение личности продукта :ХСИ4616
ВДС :40V
Особенности :Поверхностный пакет держателя
ВГС :±20V
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

МОСФЭТ ХСИ4616 30В комплементарный

 

Описание

 

Выдвинутые пользы ХСИ4616 вскапывают технологию к провидеексселлент РДС (ДАЛЬШЕ) и низкой обязанности ворот. Тхискомплементары н и п направляет конфигуратионис МОСФЭТ идеальные для низких применений инвертора ввода напряжения.

Высокое напряжение ВДС 40В ВГС ±20в транзистора силы ±20в Мосфет ХСИ4616 ВГС

 

Высокое напряжение ВДС 40В ВГС ±20в транзистора силы ±20в Мосфет ХСИ4616 ВГС

 

 

Характеристики Н-канала электрические (Т=25°К если не указано иное)
 
 
Высокое напряжение ВДС 40В ВГС ±20в транзистора силы ±20в Мосфет ХСИ4616 ВГС
 

А. Значение θДЖА р измерено с прибором установленным на 1ин а =25°К. значение в любом, который дали применении зависит от доски доски десинь.2 ФР-4 потребителя специфической с 2оз. Омедняйте, в неподвижной окружающей среде воздуха с т

Б. Диссипация силы пд основана на тдж(МАКСЕ) =150°К, используя сопротивление ≤ 10с соединени-к-окружающее термальное. К. повторяющийся оценка, ширина ИМПа ульс ограничиваемая оценками температуры соединения тдж(МАКСА) =150°К. основана на низкочастотном и кругах обязаностей для того чтобы держать инитялТДЖ=25°К.

Д. ΘДЖА р сумма термального импеданса от соединения для того чтобы привестиθДЖЛ р и привести к окружающему.

Э. Статические характеристики в диаграммах 1 до 6 получены используя <300>

Ф. Эти кривые основаны на соединени-к-окружающем термальном импедансе который измерен с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с 2оз. Омедняйте, принимающ что максимальная температура соединения тдж(МАКСА) =150°К. кривая СОА обеспечивает одиночное Г. ратин ИМПа ульс.

 

Н-канал: ТИПИЧНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
 
 
Высокое напряжение ВДС 40В ВГС ±20в транзистора силы ±20в Мосфет ХСИ4616 ВГСВысокое напряжение ВДС 40В ВГС ±20в транзистора силы ±20в Мосфет ХСИ4616 ВГСВысокое напряжение ВДС 40В ВГС ±20в транзистора силы ±20в Мосфет ХСИ4616 ВГСВысокое напряжение ВДС 40В ВГС ±20в транзистора силы ±20в Мосфет ХСИ4616 ВГСВысокое напряжение ВДС 40В ВГС ±20в транзистора силы ±20в Мосфет ХСИ4616 ВГСВысокое напряжение ВДС 40В ВГС ±20в транзистора силы ±20в Мосфет ХСИ4616 ВГСВысокое напряжение ВДС 40В ВГС ±20в транзистора силы ±20в Мосфет ХСИ4616 ВГС
Запрос Корзина 0