CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Транзистор силы Mosfet /

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :20Г04С
Название продукта :транзистор силы mosfet
Тип :Транзистор Mosfet
Удостоверение личности продукта :20Г04С
ВДС :40V
Особенности :Поверхностный пакет держателя
ВГС :±20V
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

МОСФЭТ режима повышения 20Г04С 40В Н+П-Чаннел

 

Описание

Канава 20Г04С выдвинутая пользами

технология для того чтобы обеспечить превосходный рДС(ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот.

Комплементарные МОСФЭЦ могут быть использованы для того чтобы сформировать а

уровень перенес высокий бортовой переключатель, и для хозяина другого

применения

 

Общие особенности

Н-канал

ВДС =40В, ИД =20А

РДС(ДАЛЬШЕ)< 35m=""> ГС=10В

РДС(ДАЛЬШЕ)< 42m=""> ГС=4.5В

П-канал

ВДС =-40В, ИД = -18А

РДС(ДАЛЬШЕ)<40m> ГС=-10В

РДС(ДАЛЬШЕ)< 70m=""> ГС=-4.5В

Наивысшая мощность и настоящая вручая возможность

Неэтилированный продукт приобретен

Поверхностный пакет держателя

 

Применение

Применение переключения силы ●

Цепи ● крепко переключенные и высокочастотные

Электропитание ● бесперебойное

 

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

 

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

Абсолютный максимум оценок (в противном случае замеченные ТК=25℃уньлесс)
 
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В
Характеристики Н-КХ электрические (в противном случае замеченное ТА=25℃уньлесс)

 

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

 

 

Характеристики П-КХ электрические (в противном случае замеченные ТА=25℃уньлесс)
 
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В
 
Примечания:
1. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.
2. Поверхность установленная на ФР4 доске, сек ≤ 10 т.
3. Тест ИМПа ульс: ≤ 300μс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.
4. Гарантированный дизайн, не подчиненный к продукции
 
Характеристики Н-канала типичные
 
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В
 
 
 
 
Характеристики П-канала типичные
 
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40ВМОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В
 
 
Запрос Корзина 0