CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Транзистор силы Mosfet /

10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :10Г03С
Название продукта :транзистор силы mosfet
Тип :Транзистор Mosfet
Температура соединения :150℃
Применение :Применение переключения силы
Особенности :Неэтилированный продукт приобретен
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

МОСФЭТ режима повышения 10Г03С 30В Н+П-Чаннел

 

 

Описание

Канава 10Г03С выдвинутая пользами

технология для того чтобы обеспечить превосходный рДС(ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот.

Комплементарные МОСФЭЦ могут быть использованы для того чтобы сформировать а

уровень перенес высокий бортовой переключатель, и для хозяина другого

применения

 

Общие особенности

Н-канал

ВДС = 30В, ИД =10А

РДС(ДАЛЬШЕ)< 16m=""> ГС=10В

П-канал

ВДС = -30В, ИД = -9А

РДС(ДАЛЬШЕ)< 37m=""> ГС=-10В

Наивысшая мощность и настоящая вручая возможность

Неэтилированный продукт приобретен

Поверхностный пакет держателя

 

Применение

Применение переключения силы ●

Цепи ● крепко переключенные и высокочастотные

Электропитание ● бесперебойное

 

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

 

10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный

Абсолютный максимум оценок (в противном случае замеченные ТК=25℃уньлесс)
10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный
 
Характеристики Н-КХ электрические (в противном случае замеченное ТА=25℃уньлесс)

 

10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный

 

 

Характеристики П-КХ электрические (в противном случае замеченные ТА=25℃уньлесс)
 
 
10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный
Примечания:
1. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.
2. Поверхность установленная на ФР4 доске, сек ≤ 10 т.
3. Тест ИМПа ульс: ≤ 300μс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.
4. Гарантированный дизайн, не подчиненный к продукции
 
Характеристики Н-канала типичные
10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный
 
 
 
 
Характеристики П-канала типичные
10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный
 
 
Запрос Корзина 0