CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Транзистор силы Mosfet /

ИД 6.5А МОСФЭТ режима повышения транзистора силы Мосфет 6Г03С 30В

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

ИД 6.5А МОСФЭТ режима повышения транзистора силы Мосфет 6Г03С 30В

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :6Г03С
Название продукта :транзистор силы mosfet
РДС (ДАЛЬШЕ) :< 37m="">
Удостоверение личности :6.5A
Функция :Низкая обязанность ворот
ВГС :-10В
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

МОСФЭТ режима повышения 6Г03С 30В Н+П-Чаннел

 

 

Описание

Канава 6Г03С выдвинутая пользами

технология для того чтобы обеспечить превосходный рДС(ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот.

Комплементарные МОСФЭЦ могут быть использованы для того чтобы сформировать а

уровень перенес высокий бортовой переключатель, и для хозяина другого

применения

 

Общие особенности

П-канал Н-канала

Н-канал

ВДС = 30В, ИД =6.5А

РДС(ДАЛЬШЕ)< 16m=""> ГС=10В

П-канал

ВДС = -30В, ИД = -7А

РДС(ДАЛЬШЕ)< 37m=""> ГС=-10В

Наивысшая мощность и настоящая вручая возможность

Неэтилированный продукт приобретен

Поверхностный пакет держателя

 

 

Применение

Применение переключения силы ●

Цепи ● крепко переключенные и высокочастотные

Электропитание ● бесперебойное

 

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

ИД 6.5А МОСФЭТ режима повышения транзистора силы Мосфет 6Г03С 30В

 

Абсолютный максимум оценок (в противном случае замеченные ТК=25℃уньлесс)
ИД 6.5А МОСФЭТ режима повышения транзистора силы Мосфет 6Г03С 30В
 
Характеристики Н-КХ электрические (в противном случае замеченное ТА=25℃уньлесс)

ИД 6.5А МОСФЭТ режима повышения транзистора силы Мосфет 6Г03С 30В

 

Примечания:
1. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.
2. Поверхность установленная на ФР4 доске, сек ≤ 10 т.
3. Тест ИМПа ульс: ≤ 300μс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.
4. Гарантированный дизайн, не подчиненный к продукции
 
 
электрические канала 30В Н+П-Чаннел ЭнхансемеН- типичные и термальные характеристики (кривые)
 
ИД 6.5А МОСФЭТ режима повышения транзистора силы Мосфет 6Г03С 30ВИД 6.5А МОСФЭТ режима повышения транзистора силы Мосфет 6Г03С 30ВИД 6.5А МОСФЭТ режима повышения транзистора силы Мосфет 6Г03С 30ВИД 6.5А МОСФЭТ режима повышения транзистора силы Мосфет 6Г03С 30ВИД 6.5А МОСФЭТ режима повышения транзистора силы Мосфет 6Г03С 30ВИД 6.5А МОСФЭТ режима повышения транзистора силы Мосфет 6Г03С 30ВИД 6.5А МОСФЭТ режима повышения транзистора силы Мосфет 6Г03С 30В
ИД 6.5А МОСФЭТ режима повышения транзистора силы Мосфет 6Г03С 30ВИД 6.5А МОСФЭТ режима повышения транзистора силы Мосфет 6Г03С 30В
Запрос Корзина 0