Категории продукта

Транзистор силы Mosfet

[236]

Транзисторы силы подсказки

[60]

Транзистор силы кремния

[38]

Двойной переключая диод

[30]

Транзистор влияния поля Mos

[58]

Удваивает - Mosfet канала

[20]

Быстрый диод выпрямителя тока спасения

[12]

Стабилитрон силы

[12]

Выпрямитель по мостиковой схеме Schottky

[20]

Высоковольтный диод выпрямителя тока

[30]

Триод полупроводника

[18]

Стабилизатор IC напряжения тока

[28]

контакт

CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Город:shenzhen

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:MrDavid Lee

контактная информация

контакт

5Г03СИДФ 30В удваивают обязанность ворот держателя поверхности переключателя Мосфет низкая

Спросите последнюю цену

Место происхождения :Шэньчжэнь Китай

Количество минимального заказа :1000-2000 ПК

Упаковывая детали :Положенный в коробку

Срок поставки :1 до 2 недели

Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное

Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день

Номер модели :5Г03СИДФ

Название продукта :транзистор силы mosfet

ВДС :30В

Применение :высокочастотные цепи

Функция :Низкая обязанность ворот

ВГС :+-12В

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

МОСФЭТ режима повышения 5Г03СИДФ 30В Н+П-Чаннел

Описание

Канава 5Г03С/ДФ выдвинутая пользами

технология для того чтобы обеспечить превосходный р_{ДС(ДАЛЬШЕ)} и низкую обязанность ворот.

Комплементарные МОСФЭЦ могут быть использованы для того чтобы сформировать а

уровень перенес высокий бортовой переключатель, и для хозяина другого

применения

Общие особенности

Н-канал

В_ДС = 30В, И_Д =8А

Р_{ДС(ДАЛЬШЕ)}< 20m=""> ГС=10В

П-канал

В_ДС = -30В, И_Д = -6.2А

Р_{ДС(ДАЛЬШЕ)}< -50m=""> ГС=-10В

Применение

Применение переключения силы

Крепко переключенные и высокочастотные цепи

Бесперебойное электропитание

Маркировка и упорядочение информации пакета

5Г03СИДФ 30В удваивают обязанность ворот держателя поверхности переключателя Мосфет низкая

Примечание:

1, повторяющийся оценка: Пульсированная ширина ограничиваемая максимальной температурой соединения.

2, в_ДД=25В, в_ГС=10В, Л=0.1мХ, И_АС=17А., РГ=25, начиная ТДЖ=25℃.

3, данные испытанные пульсированный, ≦ 300ус ширины ИМПа ульс, ≦ 2%. ₄ круга обязаностей_{, существенно независимый рабочей температуры}.

Запрос Корзина 0