KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STW25N80K5 одиночные

контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контакт

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STW25N80K5 одиночные

Спросите последнюю цену
Номер детали :STW25N80K5
Изготовитель :STMicroelectronics
Описание :MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Серия :SuperMESH5™
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации STW25N80K5

Состояние части Активный
Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 800V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 19.5A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 5V @ 100µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 40nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 1600pF @ 100V
Vgs (Макс) ±30V
Особенность FET -
Диссипация силы (Макс) 250W (Tc)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 260 mOhm @ 19.5A, 10V
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Через отверстие
Пакет прибора поставщика TO-247
Пакет/случай TO-247-3
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка STW25N80K5

Обнаружение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STW25N80K5 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STW25N80K5 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STW25N80K5 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STW25N80K5 одиночные

Запрос Корзина 0