Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.
HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited.
Add to Cart
Bourns моделируют ПОЛУЧЕННУЮ ПРЕДЛОЖЕНИЕ ЦЕНЫ изолированную технологию комбайна транзисторов ворот двухполярную (IGBTs) от ворот MOSFET и двухполярного транзистора и конструированы для высокого напряжения/сильнотоковых применений. Модель ПРЕДЛОЖИЛА ЦЕНУ технология диафрагмы поля зрения Канав-ворот пользы IGBTs предварительная для предусмотрения большего контроля характеристик динамической чувствительности, приводящ в более низком напряжении тока сатурации коллектор- эмиттера и меньше переключая потерь. IGBTs отличает -55°C к температурной амплитуде рабочей температуры +150°C и доступно в пакетах TO-252, TO-247, и TO-247N. Эти термально эффективные компоненты обеспечивают более низкое термальное сопротивление делая ими соответствующие решения IGBT для электропитаний Переключател-режима (SMPS), бесперебойных источников питания (UPS), и применений коррекции фактора силы (PFC).