SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

КО. ТОРГОВЛЕЙ ШАНХАЯ ИЗВЕСТНОЕ, ЛТД Для хорошей репутации, самым лучшим качеством, с самой быстрой эффективностью.

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
8 лет
Главная / продукты /

gallium-nitride-wafer

контакт
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Посетите вебсайт
Город:shanghai
Область/Штат:shanghai
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrWang
контакт
1 - 10 из 79

 gallium-nitride-wafer

Вафля нитрида галлия полупроводника, шаблон н субстрата ГаН - дюйм типа 2

шаблон субстратов 2инч ГаН, вафля для ЛеД, семикондуктинг вафля для льд, шаблон ГаН нитрида галлия ГаН, вафля моквд ГаН, свободно стоящие субстраты п....
контакт

Add to Cart

4" вафля нитрида галлия

UVC субстраты СИД EPI наслаивают вафлю шаблона AlN нитрида галлия 2inch, 4inch на сапфире или субстратов sic, Вафля нитрида галлия HVPE, шаблоны......
контакт

Add to Cart

Выкристаллизовыванная вафля нитрида галлия HVPE GaN для прибора лазера

субстраты 2inch свободно стоящие GaN, вафля для LD, semiconducting вафля GaN нитрида галлия для приведенный, шаблон GaN, субстраты 10x10mm GaN, родная...
контакт

Add to Cart

Тип вафля n нитрида галлия 4inch Dia100mm свободная стоя HVPE GaN

субстраты 2inch свободно стоящие GaN, вафля для LD, semiconducting вафля GaN нитрида галлия для приведенный, шаблон GaN, субстраты 10x10mm GaN, родная...
контакт

Add to Cart

4 дюймовые га-н-на-си пластинки галлиевого нитрида пластинки эпи-пластинки 6 дюй

GaN на Si Composite Wafer, Si wafer, Silicon Wafer, Compound Wafer, GaN на Si Substrate, Silicon Carbide Substrate, 4 дюйма, 6 дюйма, 8 дюйма, слой га...
контакт

Add to Cart

Вафли Epi шаблона сапфира вафли нитрида галлия 2 дюймов

синь GaN-НА-сапфира 2inch 4inch 6inch привела зеленые вафли epi-вафли PSS СИД epi-вафли шаблона 2inch 4inch uGaN/nGaN/pGaN-on-Sapphire К......
контакт

Add to Cart

GaN-НА-кремний вафли нитрида галлия 300mm для СИД силы микро-

8 дюймов 12 дюймов 6 дюймов GAN-ON-SI EPI-WAFERS для применения микро-LED 8 дюймовые 100 мм 150 мм 200 мм 300 мм GAN-ON-SI EPI-WAFERS для питания......
контакт

Add to Cart

Вафля нитрида галлия вафли GaN эффективности наивысшей мощности для с низким эне

вафля ГаН нитрида галлия метода 2инч ХВПЭ, свободные стоящие субстраты для аппликайон СИД, обломоки ГаН ГаН размера 10кс10мм, вафля ХВПЭ ГаН О о......
контакт

Add to Cart

Свободные стоящие субстраты GaN полупроводника вафли нитрида галлия

вафля GaN нитрида галлия метода 2inch HVPE, свободные субстраты для applicaion СИД, обломоки GaN положения GaN размера 10x10mm, вафля HVPE GaN 2inch.....
контакт

Add to Cart

Ундопед полу- изолируя вафля ХВПЭ нитрида галлия и тип шаблона

вафля ГаН нитрида галлия метода 2инч ХВПЭ, свободные стоящие субстраты для ЛД, обломоки ГаН ГаН размера 10кс10мм, вафля ХВПЭ ГаН О особенности Г......
контакт

Add to Cart

Запрос Корзина 0