- использовать InP-вофли для производства
- поддерживать индивидуальные с дизайном рисунков
- прямой диапазон, эффективно излучает свет, используется в лазерах.
- в диапазоне длин волн от 1,3 мкм до 1,55 мкм, квантовые скважины
- с использованием таких методов, как MOCVD или MBE, гравирование, металлизация и упаковка для достижения конечной формы устройства
Подробнее о лазерной пластине InP
InP эпитаксиальные пластины - это высококачественные тонкие пленки на основе индийного фосфида (InP), которые широко используются в производстве оптоэлектроники и высокочастотных электронных устройств.
выращивается на ин-П субстратах с помощью таких методов, как металлическое органическое химическое отложение паров (MOCVD) или молекулярная эпитаксия луча (MBE),эпитаксиальные пластинки имеют отличное кристаллическое качество и контролируемую толщину.
Прямые характеристики полосового разрыва этой эпитаксиальной пластинки позволяют ей хорошо работать в лазерах и фотодетекторах, особенно для оптических приложений связи в диапазоне 1,3 мкм и 1.Диапазон длины волны 55 мкм, обеспечивая передачу данных с низкими потерями и высокой пропускной способностью.
В то же время, высокая мобильность электронов и низкие характеристики шума InP эпитаксиальных пластин также дают им значительные преимущества в высокоскоростных и высокочастотных приложениях.
Кроме того, с непрерывным развитием интегральных оптоэлектронных схем и технологии связи оптических волокон,перспективы применения эпитаксиальных пластин InP становятся все более широкими, и он стал незаменимым и важным материалом в современных оптоэлектронных устройствах и системах.
Его применение в датчиках,Лазеры и другие высокопроизводительные электронные устройства способствовали развитию соответствующих технологий и заложили основу для будущих научных и технологических инноваций..
Подробная информация о лазерной эпитаксиальной пластинке InP
| Параметры продукта |
Эпитаксиальная пластина DFB |
Высокомощный DFB эпитаксиальный пластинка |
Силиконовая фотоника эпитаксиальная пластина |
| ставка |
10G/25G/50G |
/ |
/ |
| длина волны |
1310 нм |
| Размер |
2/3 дюйма |
| Характеристики продукта |
CWDM 4/PAM 4 |
Технология BH |
PQ /AlQ DFB |
| PL Управление длиной волны |
Лучше, чем 3 нм. |
| LPL Однородность длины волны |
СД.Дев лучше 1 нм @inner |
| Контроль толщины |
42 мм Лучше, чем +3% |
| Однородность толщины |
Лучше, чем +3% @внутренний 42 мм |
| Контроль допинга |
Лучше +10% |
| Допинг P-lnP (см-3) |
Zn допированный; от 5e17 до 2e18 |
| Допинг N-InP (см-3) |
Си допированный; от 5e17 до 3e18 |
Еще несколько образцов лазерной эпитаксиальной пластины.
*Мы принимаем индивидуальные требования
О нас и упаковке
О нас
Наше предприятие, ZMSH, специализируется на исследованиях, производстве, переработке и продаже полупроводниковых субстратов и оптических кристаллических материалов.
У нас есть опытная инженерная команда, опыт управления, оборудование для точной обработки и испытательные приборы,предоставляя нам чрезвычайно сильные возможности в переработке нестандартных продуктов.
Мы можем исследовать, разрабатывать и проектировать различные новые продукты в соответствии с потребностями клиентов.
Компания будет придерживаться принципа "ориентированного на клиента, основанного на качестве" и стремиться стать высокотехнологичным предприятием высшего уровня в области оптоэлектронных материалов.
О упаковке
Посвящая себя помощи нашим клиентам, мы используем алюминиевую фольгу для защиты от света
Вот несколько фотографий.
