2 ̊ 3 ̊ FZ SiO2 однокристаллические IC чипы 100 м 200 м Сухой влажный окислительный слой 100 нм 300 нм
Описание продукта:
Кремниевая пластина образуется через трубку печи в присутствии окислительного агента при повышенной температуре, процесс называется термической окислением слоя кремния.Температурный диапазон регулируется от 900 до 1,250°C; соотношение окислительного газа H2:O2 составляет от 1.51 и 3:1В соответствии с размером кремниевой пластинки не окисляется толщина будет иметь разный поток не потребляет.Кремниевая пластина субстрата состоит из 6 "или 8" монокристаллического кремния с толщиной оксидного слоя 0.1μm - 25μm. Толщина оксидного слоя общих кремниевых пластин в основном сосредоточена ниже 3μm,которые могут быть стабильны в настоящее время Количественное производство высококачественного толстого слоя оксида (3μм и более) кремниевых пластин страны и регионы или Соединенные Штаты.
Особенности:
Кремниевый материал твердый и хрупкий (Mohs 7.0); ширина диапазона 1.12eV; поглощение света в инфракрасной полосе, с высокой эмиссивностью и показателем преломления (3.42);Кремний имеет очевидную теплопроводность и свойства теплового расширения (линейный коэффициент расширения 2.6*10^-6/K), объем плавления кремния уменьшается, расширение затвердевания, имеет большой коэффициент поверхностного напряжения (поверхностное напряжение 720 дина/см); при комнатной температуре кремний не является податливым,и температура выше 800 градусов.Силикон имеет простую форму и подвержен пластическим деформациям под воздействием напряжения.и легко производить изгиб и изгиб во время обработки.
Технические параметры:
| Положения |
Параметры |
| Плотность |
20,3 г/см3 |
| Точка плавления |
1750°С |
| Точка кипения |
2300°С |
| Индекс преломления |
1.4458±0.0001 |
| Моль. т. |
60.090 |
| Внешний вид |
серый |
| Растворимость |
Нерастворимый |
| Точка сжигания |
900°C~1500°C |
| Способ приготовления |
сухо-мокрая окисление |
| Варп |
8мм |
| Поклонитесь. |
8мм |
| TTV |
8мм |
| Ориентация |
110 |
| Ра |
0.4 нм |
| Применение |
5G |
Применение:
Монокристаллический кремний может использоваться для производства монокристаллических продуктов на уровне диодов, устройств выпрямления, цепей и солнечных батарей и глубокой обработки,его последующие продукты интегрированные схемы и устройства для разделения полупроводников широко используются в различных областяхСегодня, с быстрым развитием фотоэлектрической технологии и технологии микрополупроводниковых инверторов,Солнечные батареи, изготовленные из кремниевых однокристаллов, могут напрямую преобразовывать солнечную энергию в энергию света.Пекинские Олимпийские игры показывают миру концепцию "Зеленых Олимпийских игр".и использование монокристаллического кремния является очень важной частью этого.
Прочие продукты:
Вафля SIC:
Часто задаваемые вопросы
Вопрос: Какой брендSiO2 однокристаллический?
A: Название маркиSiO2 однокристаллическийэто ZMSH.
Вопрос: Что такое сертификацияСио2 однокристалл?
A: СертификацияSiO2 однокристаллическийэто ROHS.
В: Где находится место происхожденияSiO2 однокристаллический?
A: Место происхожденияSiO2 однокристаллическийЭто Китай.
Вопрос: каков MOQSiO2 однокристаллический одновременно?
A: МОКSiO2 однокристаллический25 штук за раз.
