2 S Допированный полупроводниковый GaP EPI-вольфер N типа P типа 250um 300um светоизлучающие диоды
Описание:
Фосфид галлия (GaP) - соединение группы III-V. По внешнему виду он оранжево-красный прозрачный кристалл. Фосфид галлия используется для получения недорогого красного,зеленые и оранжевые светодиоды с низкой до средней яркостьюЕго жизнь короче при высоких токах, и его жизнь также довольно чувствительна к температуре.Фосфид галлия (GaP) - это неорганическое соединение и полупроводниковый материал с косвенным энергетическим разрывом 2.26eV (300K). Его поликристаллический материал светло-оранжевый. Фосфид галлия без запаха и не растворяется в воде.и для изготовления полупроводников типа P, цинк должен быть допирован.
Особенности:
Полупроводниковый материал Галлиевый фосфид, называемый Gap, состоит из галлия (Ga) и фосфора (P) синтеза III-V группы соединения полупроводников, при комнатной температуре,его более высокая чистота - оранжево-красное прозрачное твердое вещество, фосфид галлия является важным материалом для производства полупроводниковых устройств, излучающих видимый свет, в основном используемых для производства выпрямителей, транзисторов, светопроводников,лазерный диод и охлаждающие элементыФосфид галлия и арсенид галлия являются полупроводниками с электролюминесцентными свойствами и являются полупроводниками третьего поколения после германия и кремния.Светодиод галлиевого арсенида имеет высокую квантовую эффективность, компактная и простая структура устройства, высокая механическая прочность и длительный срок службы, и может использоваться в "оптическом телефоне".
Параметры:
| Положения |
Параметры |
| Цвет |
Прозрачный оранжевый красный |
| Диаметр |
50.6+0.3 |
| Толщина |
175 225 |
| Допирующее средство |
S |
| Плотность |
4.138 г/см3
|
| Точка плавления |
1477 °C
|
| Способ выращивания |
LEC |
| Растворимость |
Растворимый |
| Ориентация |
(111) А 0°+0.2 |
| Индекс преломления |
4.3 |
| Варп |
10мм |
| Поклонитесь. |
10мм |
| TTV |
10мм |
| Уровень |
А. |
Применение:
Индий фосфид (InP) представляет собой III ~ V соединение с сфалеритовой кристаллической структурой, константой решетки 5,87 × 10-10 м, полосовым разрывом 1,34 eV и подвижностью 3000 ~ 4500 см 2 / (V.S) при комнатной температуре.Кристаллы InP имеют много преимуществ., такие как высокая скорость дрейфа насыщенных электронов, сильное сопротивление излучению, хорошая теплопроводность и высокая эффективность фотоэлектрического преобразования, и широко используются в оптической связи,устройства высокочастотных миллиметровых волнВ будущем спрос на компоненты будет связывать приложения связи 5G,Автомобильная электроника и оптическая связь с характеристиками высокой скорости, высокой частоты и высокой мощности, и второе и третье поколения соединенных полупроводников, как ожидается, прорвутся через закон Мура кремниевых полупроводников.
Прочие продукты:
Вафли с газом:
Часто задаваемые вопросы
Вопрос: Какой брендS Допированный GAP?
A: Название маркиS Допированный GAPэто ZMSH.
Вопрос: Что такое сертификацияS Допированный GAP?
A: СертификацияS Допированный GAPэто ROHS.
В: Где находится место происхожденияS Допированный GAP?
A: Место происхожденияS Допированный GAPЭто Китай.
Вопрос: каков MOQS Допировал ГАП одновременно?
A: МОКS Допированный GAP25 штук за раз.
