Высокая концентрация носителя	Он обладает более высокой электрической проводимостью и низкой сопротивляемостью в электронных устройствах.
Высокая мобильность носителей	Он описывает носители в материале, которые двигаются под электрическим полем.
Определить характер	Допинг теллуром может увеличить теплоту кристаллических материалов InSb. Стабильность.
Поглощение света	Допинг теллуром может изменить структуру кристаллов InSb.
Излучение света	Те-допированный InSb может быть стимулирован для производства светового излучения путем: Внешнее возбуждение или впрыск электронов.
Совместимость	ТЭ-допированный субстрат InSb имеет хорошее сочетание решетки с другими полупроводниками.
Тепловая стабильность	Допинг теллуром может улучшить тепловую устойчивость материалов InSb.
Оптические свойства	Допинг теллуром также оказывает определенное влияние на оптические свойства материалов InSb

Технические параметры InSb-Te:

Параметр	InSb-Te-2in-510um-PP
Способ выращивания	CZ
Допирующее средство	Т
Ориентация	(111) +/- 0,5°
Угол ориентации	Никаких
Закругление краев	0.25
Диаметр	50.5+/-0.5
Толщина	510+/-25
Ориентация	EJ[01-1]+/-0,5°
ДЛОГО	16+/-2
Ориентация на ИФ	EJ[01-1]+/-0,5°
Длина IF	8+/-1
CC	0.4-1.4E5@77K
Мобильность	>100000@77K
EPD-AVE	≤ 50
TTV	≤ 10
TIR	≤ 10
ВЫБОК	≤ 10
Варп	≤ 15
Передняя поверхность	Полированные
Поверхность задней стороны	Полированные
Пачагинг	Одноразовая поднос

Применение InSb-Te:

1Высокоскоростные электронные устройства: кристаллы InSb, допированные теллуром, также имеют потенциал в высокоскоростных электронных устройствах.

2Квантовые устройства структуры: кристаллы InSb, допированные Te, могут быть использованы для подготовки квантовых устройств структуры, таких как

Квантовые скважины и квантовые устройства.

3. оптоэлектронные устройства: кристаллы InSb, допированные Te, могут быть использованы для подготовки различных оптоэлектронных устройств, таких как

фотодетекторы, фотоэлектрические усилители и фотоэлектрические преобразователи.

4Инфракрасный детектор: кристаллы InSb, допированные Te, могут быть использованы для подготовки высокопроизводительных инфракрасных детекторов.

Допинг теллуром может увеличить концентрацию и подвижность носителей.

5Инфракрасные лазеры: кристаллы InSb, допированные Te, также имеют потенциал применения в области инфракрасных лазеров.

Теллурий допинг в кристаллы InSb, полоса структура INSB кристаллов может реализовать работу инфракрасных лазеров.

Другие продукты, связанные с InSb-Te:

SIC Субстрат:

Часто задаваемые вопросы

Вопрос: Какой брендTe-InSb?

A: Название маркиTe-InSbэто ZMSH.

Вопрос: Что такое сертификацияTe-InSb?

A: СертификацияTe-InSbэто ROHS.

В: Где находится место происхожденияTe-InSb?

A: Место происхожденияTe-InSbЭто Китай.

Вопрос: каков MOQTe-InSb одновременно?

A: МОКTe-InSb25 штук за раз.

Метки товара: