Характер продукции:
Материалы кремниевого карбида имеют широкий диапазон применений в различных полях hi-техника как высокоскоростной рельс, автомобильная электроника, умные решетки, фотовольтайческие инверторы, промышленное электро-механическое, центры данных, полотняные товары, бытовая электроника, сообщение 5G, дисплеи следующего поколени, etc. их огромный потенциал рынка и преимущества над основанными на кремни приборами делают ими ценный актив.
В настоящее время, применение кремниевого карбида в средстве и поля низшего напряжения можно главным образом разделить в 3:
- Поле низшего напряжения: Главным образом использованный в бытовой электронике как PFC и электропитания. Например, нитрид галлия пользы Xiaomi и Huawei для быстрого заряжателя.
- Среднее поле напряжения тока: Главным образом использованный в автомобильной электронике или электрооборудовании для перехода и энергосистемы рельса с напряжением тока сверх 3300V. Модель 3 Tesla первая польза прибора кремниевого карбида в автомобильном.
- Высоковольтное поле: Хотя кремниевый карбид имеет больший потенциал в этом участке, все еще никакие освоенные изделия официально запустили. Электротранспорт, однако, идеальный сценарий для основанных на кремни приборов по мере того как эти имеют компактный размер и более высокую плотность энергии сравненные к IGBTs кремния.
Особенности:
ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Кремниевый карбид разносторонний и прочный субстрат, со следующими физическими свойствами:
- Кристаллическая структура Polytype
- Термальная проводимость (n типа; 0,020 Ω*cm) a~4.2 W/cm • K @ 298 k и c~3.7 W/cm • K @ 298 K
- Параметры шестиугольное a=3.073 Å c=10.053 Å решетки
- Поддержанные диаметры 2inch ~8inch; 100 mm* & 150 mm
- EV Bandgap 3,26
- Термальная проводимость (HPSI): a~4.9 W/cm • K @ 298 k и c~3.9 W/cm • K @ 298 K
- Твердость 9,2 Mohs
ПРЕИМУЩЕСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА
Кремниевый карбид имеет несколько преимуществ над традиционными субстратами кремния. Эти включают:
- Высокая твердость которая делает ее соответствующий для высокоскоростных, высокотемпературных и/или высоковольтных применений.
- Высокая термальная проводимость которая учитывает миниатюризацию и улучшенную электрическую проводимость.
- Низкий коэффициент для теплового расширения которое делает его идеальный для приспособления в небольшие приборы.
- Высокоомный к термальному удару который увеличивает продолжительность жизни и представление кремниевого карбида.
- Не-реактивный с кислотами, алкалиами и жидкими солями на температурах до 800°C.
- Прочность в условиях высоких температур, позволяющ безопасно для того чтобы работать на температурах над 1600°C.
Технические параметры:
4H & 6H-SiC изменение материалов кремниевого карбида. Диаметр для обоих типов может выстроить в ряд от 50.8mm (2 дюйма) до 200mm (8 дюймов). Dopants используемые для обоих N/Nitrogen или внутреннеприсущие, пока тип того может быть HPSI. Резистивность для 4H-SiC может быть 0,015 до 0,028 ohm*cm, пока это из 6H-SiC выше на высокой чем ohm*cm 1E7. Их толщина между 250um к 15,000um (15mm), и все пакеты приходят с одиночным или двойная сторона отполировала. Штабелировать последовательность 4H-SiC ABCB, пока это из 6H-SiC ABCACB. Диэлектрическая константа для 4H-SiC 9,6 и 6H-SiC 9,66 соответственно. Подвижность электрона 4H-SiC 800 cm2/V*S и ниже на 400 cm2/V*S для 6H-SiC. В конце концов, оба материала имеют такую же плотность на 3,21 · 103 kg/m3.
Применения:
Субстрат ZMSH SIC010 SiC высококачественный и экономический продукт конструированный для различных применений. Он отличает 10x10mm, 5x5mm, 1x1cm, и 0.5x0.5mm подгонянный размер, резистивность 0.015~0.028ohm.cm или >1E7ohm.cm, диэлектрическая константа 9,7, поверхностная плоскостность λ/10@632.8nm, плотности 3,2 G/cm3, и аттестован с RoHS. Количество минимального заказа 10pc, цена подлежит случай, она упакована в подгонянных пластиковых коробках, и срок поставки в течение 30 дней. ZMSH предлагает способность поставки 1000pc/month, и признавает оплату через T/T.
Изготовление на заказ:
Подгонянное обслуживание для субстрата SiC: ZMSH SIC010
- Фирменное наименование: ZMSH
- Номер модели: SIC010
- Место происхождения: КИТАЙ
- Аттестация: ROHS
- Количество минимального заказа: 10pc
- Цена: случаем
- Упаковывая детали: Подгонянная пластиковая коробка
- Срок поставки: В 30 днях
- Условия оплаты: T/T
- Способность поставки: 1000pc/month
- Термальная проводимость: 4,9 W/mK
- Поверхность: CMP Si-стороны; MP C-стороны
- Прочность на растяжение: >400MPa
- Материал: Монокристалл SiC
- Dopant: N/A
- Специализированный внутри: Вырезывание лазера SIC, вафли 4H-N SIC, подгонянные плиты SIC формы
Поддержка и обслуживания:
Служба технической поддержки и обслуживание субстрата SiC
Мы обеспечиваем службу технической поддержки и обслуживание для наших субстратов SiC. Наша команда сильно опытных профессионалов имеет в распоряжении помочь вам со всеми вопросами вы можете иметь о наших продуктах.
Мы предлагаем разнообразие вспомогательные обслуживания, как:
- Помощь дизайна и изготовления
- Диагностика и разрешающая способность проблемы
- Изготовление на заказ продукта
- Оптимизирование эксплуатационных характеристик продукта
- Испытание и оценка продукта
Мы также обеспечиваем продолжающийся обслуживание и ремонтные услуги для наших субстратов SiC.
Если вы имеете любые вопросы о наших субстратах SiC или любой из наших других продуктов, то пожалуйста не смутитесь связаться мы.