8INCH 12INCH 6INCH GAN-ON-SI EPI-WAFERS ДЛЯ ДЛЯ применения СИД RF СИЛЫ
Вафля GaN эпитаксиальная (GaN EPI на кремнии)
ZMSH агент эпитаксиальных вафель GaN-на-Si в Shanghia. Нитрид галлия (GaN) широко был использован в приборах силы и голубых светоизлучающих диодах должных к своему широкому перепаду энергии.
Введение
Растущая потребность для энергосберегающего и выдвижений в информации и системах коммуникаций. Для того чтобы отвечать эти потребностямы, мы начинали широкий-bandgap субстрат полупроводника с нитридом галлия (GaN) как материал полупроводника следующего поколени.
Концепция: Путем расти фильмы одно-Кристл GaN тонкие на субстратах кремния, мы можем произвести большие, недорогие субстраты полупроводника для приборов следующего поколени
.
Цель: Для бытовых техник: switchgears и инверторы с пробивными напряжениями в сотнях. Для базовых станций мобильного телефона: наивысшая мощность и высокочастотные транзисторы.
Преимущества: Наши субстраты кремния дешевле вырасти GaN чем другие субстраты кремниевого карбида или сапфира, и мы можем обеспечить приборы GaN портняжничанные к требованиям клиента.
Словарь
широкий зазор диапазона
Зазор диапазона ссылается на поле энергии сформированное лентообразной структурой в кристалле который не содержит электроны (материалы полупроводника с зазором диапазона более большим чем кремний часто названы широкие полупроводники зазора диапазона). Широкий-bandgap материал с хорошей оптически прозрачностью и высоким напряжением тока пробоя электрическим разрядом
Гетеропереход
стог различных материалов. Вообще говоря, в поле полупроводника, относительно штабелированы тонкие фильмы материалов полупроводника с различными составами. В случае смешанных кристаллов, получены гетеропереходы с атомно ровными интерфейсами и хорошие свойства интерфейса. Должный к этим интерфейсам, создан слой двухмерного электронного газа с высокой подвижностью электрона
Спецификации для голубых Epi-вафель СИД GaN-на-Si
Полупроводник ZMSH совершен для произведения вафель epi СИД GaN на субстратах Si с поменянный
размер вафли 100 mm к 200 mm. Качество вафли встречает следующие спецификации:
Мы предназначены к обеспечивать высококачественные epiwafers GaN для силы электронной, RF и ВЕДОМЫХ Микро применений.
История • Основанный в 2012 как чистая epi-плавильня вафель GaN
Технология • Запатентованное инженерство субстрата заволакивания технологии, дизайн буфера, активный регион
оптимизирование для высококачественного, плоских и треснуть свободные epi-структуры.
• Члены команды все ядра технические имеют многолетний опыт 10+ в GaN
Емкость
• чистая комната 1000 класса 3300m2
• 200k ПК/год для epiwafers 150mm GaN
Продукт
Разнообразие
• GaN-на-Si (до 300mm)
• GaN-на-SiC (до 150mm)
• GaN-on-HR_Si (до 200mm)
• GaN-на-сапфир (до 150mm)
• GaN-на-GaN
IP & качество • патент, который ~400 хранят в Китае, США, Японии etc.
с >100 подарил
• Лицензия ~80 патентов от imec
• ISO9001: сертификат 2015 для дизайна и
изготовление материала epi GaN
