SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

КО. ТОРГОВЛЕЙ ШАНХАЯ ИЗВЕСТНОЕ, ЛТД Для хорошей репутации, самым лучшим качеством, с самой быстрой эффективностью.

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
8 лет
Главная / продукты / SiC Substrate /

Объектив HPSI 4H-SEMI прозрачный бесцветный подгонянный SIC

контакт
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Посетите вебсайт
Город:shanghai
Область/Штат:shanghai
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrWang
контакт

Объектив HPSI 4H-SEMI прозрачный бесцветный подгонянный SIC

Спросите последнюю цену
Видеоканал
Номер модели :особая чистота ООН-дала допинг 4h-semi
Место происхождения :фарфор
Количество минимального заказа :5PCS
Условия оплаты :Западное соединение, T/T
Способность поставки :5000pcs/months
Срок поставки :10-20days
Упаковывая детали :Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в кассетах одиночных контейнеров вафли
Материал :кристалл кремниевого карбида
РАЗМЕР :5X5x10mmt или customzied
Применение :Оптически
Резистивность :>1E7
Тип :HPSI
Толщина :0.5mm или 0.35mm или cutomzied
Поверхность :DSP
Ориентация :
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Особая чистота объектива HPSI 4H-SEMI прозрачная бесцветная подгонянная sic

Применение кремниевого карбида в индустрии прибора силы

Нитрид GaN галлия SiC кремниевого карбида Si кремния блока представления
EV зазора диапазона 1,12 3,26 3,41
Электрическое поле MV/cm нервного расстройства 0,23 2,2 3,3
Подвижность электрона cm^2/Vs 1400 950 1500
Перемещайтесь скорость 10^7 cm/s 1 2,7 2,5
Термальная проводимость W/cmK 1,5 3,8 1,3

ZMSH предлагает вафлю и эпитаксию SiC: Вафля SiC материал полупроводника bandgap третьего поколения широкий с превосходным представлением. Она имеет преимущества широкого bandgap, высокой термальной проводимости, высокого электрического поля нервного расстройства, высокой внутреннеприсущей температуры, сопротивления радиации, хорошей химической стойкости и высокого тарифа смещения сатурации электрона. Вафля SiC имеет также большие перспективы применения в воздушно-космическом пространстве, переходе рельса, фотовольтайческом производстве электроэнергии, передаче энергии, новых кораблях энергии и других полях, и принесет революционные изменения к технологии производительности электроники. Сторона Si или сторона c CMP как epi-готовая ранг, упакованная газом азота, каждая вафля в одном контейнере вафли, вниз чистой комнате класса 100.


Epi-готовые вафли SiC имеют тип n или Полу-изолирующ, свое polytype 4H или 6H в различных качественных рангах, плотность Micropipe (MPD): Свободный, <5>

Вафля Sic & слитки 2-6inch и другой подгонянный размер также смогите быть обеспечено.

дисплей детали 3.Products

Объектив HPSI 4H-SEMI прозрачный бесцветный подгонянный SICОбъектив HPSI 4H-SEMI прозрачный бесцветный подгонянный SICОбъектив HPSI 4H-SEMI прозрачный бесцветный подгонянный SICОбъектив HPSI 4H-SEMI прозрачный бесцветный подгонянный SIC

Доставка & пакет

вопросы и ответы
  • Q1. Ваша компания фабрика или торговая компания?
  • Мы фабрика и мы также можем сделать экспорт.
  • Q2.Is вы работа компании единственная с делом sic?
  • да; однако мы не растем кристалл sic собственной личностью.
  • Q3. Смогли вы поставить образец?
  • Да, мы можем поставить образец сапфира согласно требованию к клиента
  • Q4. Вы имеете запас вафель sic?
  • мы обычно держим некоторые вафли sic нормального размера от вафель 2-6inch в запасе
  • Q5.Where ваша обнаруженная местонахождение компания.
  • Наша компания расположенная в Шанхае, Китае.
  • Q6. Сколько времени примет для того чтобы получить продукты.
  • Вообще оно будет принимать 3~4 недели для обработки. Он зависеть от и размера продуктов.

Запрос Корзина 0