Категории продукта

Синтетическая драгоценная камень

[77]

Оболочка лаборатории

[31]

контакт

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Посетите вебсайт

Город:shanghai

Область/Штат:shanghai

Страна/регион:china

Контактное лицо:MrWang

контактная информация

контакт

China ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная wholesale

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

Спросите последнюю цену

Видеоканал

Номер модели :6inch-001

Место происхождения :Китай

Количество минимального заказа :1pcs

Способность поставки :50pcs/months

Срок поставки :в пределах 40days

Упаковывая детали :Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в кассетах одиночных контейнеров вафли

применения :приведенный прибор, 5G, детектор, производительность электроники

индустрия :вафля semicondctor

материал :полупроводник sic

цвет :зеленый или белый или голубой

твердость :9,0

тип :4H, не-данное допинг 6H, данный допинг,

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

вафля субстрата 6inch 4H-N 500mm 350um sic для прибора порошка

диаметр 6 дюймов, спецификация субстрата кремниевого карбида (SiC)
Ранг		Нул рангов MPD	Ранг продукции	Ранг исследования	Фиктивная ранг

Диаметр		150,0 mm±0.2mm

ThicknessΔ		350 μm±25μm или 500±25un

Ориентация вафли		С оси: 4.0° к< 1120=""> ±0.5° для 4H-N на оси: <0001> ±0.5° для 6H-SI/4H-SI

Основная квартира		{10-10} ±5.0°

Основная плоская длина		47,5 mm±2.5 mm

Исключение края		3 mm

TTV/Bow /Warp		≤15μm/≤40μm/≤60μm

Плотность Micropipe		см-2 ≤1	см-2 ≤5	см-2 ≤15	см-2 ≤100

Резистивность	4H-N	0.015~0.028 Ω·см

	4/6H-SI	≥1E5 Ω·см

Шершавость		Польское Ra≤1 nm

		CMP Ra≤0.5 nm

Отказы светом высокой интенсивности		Никакие		1 позволенный, ≤2 mm	Кумулятивное ≤ 10mm длины, одиночное length≤2mm

Плиты наговора светом высокой интенсивности		Кумулятивная область ≤1%		Кумулятивная область ≤2%	Кумулятивная область ≤5%

Зоны Polytype светом высокой интенсивности		Никакие		Кумулятивное area≤2%	Кумулятивное area≤5%

Царапины светом высокой интенсивности		3 царапины к длине диаметра 1×wafer кумулятивной		5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной	5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной


Обломок края		Никакие		3 позволенного, ≤0.5 mm каждое	5 позволенных, ≤1 mm каждое

Загрязнение светом высокой интенсивности		Никакие

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

О нашей компании

CO. ШАНХАЯ ИЗВЕСТНОЕ ТОРГОВОЕ, LTD. размещает в городе Шанхая, который самый лучший город Китая, и наша фабрика основана в городе Wuxi в 2014.

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и custiomized оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, оптической электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР.

Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими reputatiaons.

Метки товара: