тип субстраты 4inch dia100m 4H-N SiC ранга ранга продукции ФИКТИВНЫЕ, субстраты кремниевого карбида для полупроводникового устройства,
4h-semi 4h-N подгоняло квадратные вафли sic формы
Зоны применения
1 диод высокочастотных и наивысшей мощности электронных устройств Schottky,
JFET, BJT, PiN, диоды, IGBT, MOSFET
2 электронно-оптических прибора: главным образом использованный в СИД материала субстрата СИД GaN/SiC голубом (GaN/SiC)
Advantagement
• Низкое рассогласование решетки
• Высокая термальная проводимость
• Потребление низкой мощности
• Превосходные переходные характеристики
• Высокий зазор диапазона
Карборунд вафли субстрата SiC кремниевого карбида кристаллический
СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА
| Название продукта: | Субстрат кремниевого карбида (SiC) кристаллический |
| Характер продукции: | 2-6inch |
| Технические параметры: | | Клеточная структура | Шестиугольный | | Решетка постоянн | = 3,08 Å c = 15,08 Å | | Приоритеты | ABCACB (6H) | | Метод роста | MOCVD | | Направление | Ось роста или частично (° 0001) 3,5 | | Полировать | Полировать поверхности Si | | Bandgap | eV 2,93 (косвенное) | | Тип проводимости | N или seimi, особая чистота | | Резистивность | 0,076 ом-см | | Permittivity | e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33 | | Термальная проводимость @ 300K | 5 с см. K | | Твердость | 9,2 Mohs | |
| Спецификации: | 6H N типа 4H N типа полу-изолируя dia2 «x0.33mm, dia2» x0.43mm, dia2 '' x1mmt, ход 10x10mm, 10x5mm одиночный или двойной ход, Ра <10A |
| Стандартная упаковка: | чистая сумка 1000 чистая комната, 100 или одиночная упаковка коробки |
2. субстраты определяют размер стандарта
| спецификация субстрата кремниевого карбида 4 дюймов диаметра (SiC) |
| Ранг | Нул рангов MPD | Ранг продукции | Ранг исследования | Фиктивная ранг |
| Диаметр | 100,0 mm±0.5 mm |
| Толщина | 350 μm±25μm (толщина 200-500um также в порядке) |
| Ориентация вафли | С оси: 4.0° к <1120> ±0.5° для 4H-N/4H-SI на оси: <0001>±0.5° для 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI |
| Плотность Micropipe | см-2 ≤1 | см-2 ≤5 | см-2 ≤15 | см-2 ≤50 |
| Резистивность | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•см |
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•см |
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·см |
| Основная квартира и длина | {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 mm |
| Вторичная плоская длина | 18.0mm±2.0 mm |
| Вторичная плоская ориентация | Кремний лицевой: 90° CW. от основного плоского ±5.0° |
| Исключение края | 3 mm |
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm |
| Шершавость | Польское Ra≤1 nm, CMP Ra≤0.5 nm |
| Отказы светом высокой интенсивности | Никакие | 1 позволенный, ≤2 mm | Кумулятивное ≤ 10mm длины, одиночное length≤2mm |
| Плиты наговора светом высокой интенсивности | Кумулятивная область ≤1% | Кумулятивная область ≤1% | Кумулятивная область ≤3% |
| Зоны Polytype светом высокой интенсивности | Никакие | Кумулятивная область ≤2% | Кумулятивная область ≤5% |
| Царапины светом высокой интенсивности | 3 царапины к длине диаметра 1×wafer кумулятивной | 5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной | 5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной |
| обломок края | Никакие | 3 позволенного, ≤0.5 mm каждое | 5 позволенных, ≤1 mm каждое |
| Загрязнение светом высокой интенсивности | Никакие |
Вафля Sic & слитки 2-6inch и другой подгонянный размер также смогите быть обеспечено.
3.Pictures продуктов доставки раньше
Q: Что ваши главные продукты?
: вафли полупроводника и оптически объектив, зеркала, окна, фильтры, призмы
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
: Вообще срок поставки около один месяц для изготовленного на заказ произведенного запаса optics.except одни или некоторая особенная оптика.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
: Мы можем обеспечить свободные образцы если мы имеем оптику запаса как ваша просьба, то пока изготовленные на заказ произведенные образцы не свободны.
Q: Что ваше MOQ?
MOQ 10pcs для большего части из вафли или объектива, пока MOQ смогло быть только цельно если вам нужен элемент в большом размере.
Q: Что ваши условия платежа?
T/T, L/C, ВИЗА, PayPal, Alipay или переговоры.
