Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Профессиональная платформа по закупкам в полупроводниковой промышленности, чтобы предоставить вам превосходное качество и разнообразие продуктов и технических услуг
Add to Cart
C-сторона 2inch Fe-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической > 106 Ω·приборы RF см
Достиганное пробивное напряжение Fe-данного допинг эпитаксиального слоя GaN может быть как высоко как 2457 v, который приписан к Fe-данному допинг эпитаксиальному слою GaN с высокоомным, которое может вытерпеть высокое пробивное напряжение. Детали корреляции между поверхностным словотолкованием, концентрацией Fe, и толщиной Fe-данных допинг эпитаксиальных слоев GaN используемых для высоких приборов пробивного напряжения также будут обсужены в этой бумаге.
| 2-дюймовые свободно стоящие субстраты SI-GaN | ||||||||
| Превосходный уровень (s) | Уровень продукции (a) | Уровень исследования (b) | Фиктивный уровень (c) |
Примечание: (1) годная к употреблению область: исключение дефектов края и макроса (2) 3 пункта: miscut двигает под углом положений (2, 4, 5) 0,35 ± 0,15o |
||||
| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | |||||
| Размер | ± 50,8 1 mm | |||||||
| Толщина | 350 μm ± 25 | |||||||
| Квартира ориентации | ± 0,5o (1-100), ± 16 1 mm | |||||||
| Вторичная квартира ориентации | ± 3o (11-20), ± 8 1 mm | |||||||
| Резистивность (300K) | > 1 x 106 Ω·см для Fe-данный допинг Полу-изолировать (; GaN-FS-C-SI-C50) | |||||||
| TTV | μm ≤ 15 | |||||||
| СМЫЧОК | μm ≤ 20 | μm ≤ 40 | ||||||
| Шероховатость поверхности стороны Ga |
< 0=""> или < 0=""> |
|||||||
| Шероховатость поверхности стороны n |
0,5 μm ~1,5 вариант: 1~3 nm (точная земля); < 0=""> |
|||||||
| Пакет | Упакованный в чистой комнате в одиночном контейнере вафли | |||||||
| Годная к употреблению область | > 90% | >80% | >70% | |||||
| Плотность дислокации | <9>см-2 x105 | <3x10>6 см-2 | <9>5 см-2 | <3>см-2 x106 | <3x10>6 см-2 | |||
| Ориентация: Самолет c (0001) с угла к M-оси |
0,35 ± 0,15o (3 пункта) |
0,35 ± 0,15o (3 пункта) |
0,35 ± 0,15o (3 пункта) |
|||||
| Плотность дефекта макроса (отверстие) | 0 см-2 | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | |||||
| Максимальный размер дефектов макроса | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> | |||||
* национальные стандарты Китая (GB/T32282-2015)
О нас
Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.
вопросы и ответы
Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <>
>=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.
