продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

BUK7640-100A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

Категории продукта

Интегральные схемаы ICS

 [3000]

Обломок IC памяти

 [3000]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2527]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [3000]

Транзистор влияния поля

 [1828]

Модуль силы IGBT

 [1002]

Триод диода

 [303]

Общецелевой конденсатор

 [41]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [203]

Взрыватели защиты сети

 [195]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China BUK7640-100A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных wholesale
  • China BUK7640-100A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных wholesale

BUK7640-100A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
Спросите последнюю цену
Номер детали :BUK7640-100A, 118
Изготовитель :Nexperia США Inc.
Описание :MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Серия :Автомобильный, AEC-Q101, TrenchMOS™
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

BUK7640-100A, 118 спецификаций

Состояние части Активный
Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 100V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 37A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 4V @ 1mA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs -
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 2293pF @ 25V
Vgs (Макс) ±20V
Особенность FET -
Диссипация силы (Макс) 138W (Tc)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 40 mOhm @ 25A, 10V
Рабочая температура -55°C | 175°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика D2PAK
Пакет/случай TO-263-3, ² Пак d (2 руководства + платы), TO-263AB
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

BUK7640-100A, 118 упаковывая

Обнаружение

BUK7640-100A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночныхBUK7640-100A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночныхBUK7640-100A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночныхBUK7640-100A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

Метки товара:

sot 23 mosfet

transistor list

transistor specification
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4