продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321C

Категории продукта

Интегральные схемаы ICS

 [3000]

Обломок IC памяти

 [3000]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2527]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [3000]

Транзистор влияния поля

 [1828]

Модуль силы IGBT

 [1002]

Триод диода

 [303]

Общецелевой конденсатор

 [41]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [203]

Взрыватели защиты сети

 [195]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321C wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321C wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321C
Спросите последнюю цену
Номер детали :FDG6321C
Изготовитель :Полупроводник Fairchild/ON
Описание :MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации FDG6321C

Состояние части Активный
Тип FET N и P-канал
Особенность FET Ворота уровня логики
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 25V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 500mA, 410mA
Rds на (Макс) @ id, Vgs 450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Id Vgs (th) (Макс) @ 1.5V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 50pF @ 10V
Сила - Макс 300mW
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет прибора поставщика SC-70-6
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка FDG6321C

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321CМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321CМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321CМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321C

Метки товара:

pnp transistor array

npn transistor array

igbt saturation voltage
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4