продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor / Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321C /

show pictures

Категории продукта

Интегральные схемаы ICS

 [3000]

Обломок IC памяти

 [3000]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2527]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [3000]

Транзистор влияния поля

 [1828]

Модуль силы IGBT

 [1002]

Триод диода

 [303]

Общецелевой конденсатор

 [41]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [203]

Взрыватели защиты сети

 [195]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321C
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321C
  • Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321C
продукты подробные
Спецификации FDG6321C Состояние части Активный Тип FET N и P-канал Особенность FET Ворота уровня логики Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 25V ...
список продуктов, подробные →
Метки товара:
массив транзисторов pnp npn транзисторный массив ИГБТ насыщенное напряжение

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4