Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Честность, взаимовыгодное сотрудничество, гарантия качества и стремление к совершенству

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
2 лет
Главная / продукты /

Микросхема памяти ДРАХМЫ

контакт
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrSun
контакт
1 - 10 из 23

 Микросхема памяти ДРАХМЫ

16 ГБ DDR4 Dram Memory Chips 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

Динамический случайный доступ память DRAM 16GB DDR4 SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC Спецификации продукта Атрибут Ценить Каталог продук......
контакт

Add to Cart

8 Гб C Смертная память DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Динамическая память случайного доступа DRAM 8Gb C-die DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD Спецификации продукции Атрибут Стоимость Каталог продукции Па......
контакт

Add to Cart

Микросхема DRAM синхронной динамической памяти на 512 Кбит IS42S32200L-7BLI

ДИНАМИЧЕСКАЯ ПРЕМЕРА РАНДОМНОГО ПРИВОДА DRAM 512K битов СИНХРОННАЯ ДИНАМИЧЕСКАЯ ПРЕМЕРА IS42S32200L-7BLI Спецификации продукции Атрибут Стоимость......
контакт

Add to Cart

Промышленный чип памяти DRAM DDR3l DDR3L X16 2 Гбит F60C1A0002-M69W

Динамическая память случайного доступа DRAM IndustrialDDR3l DDR3Lx16 2Gb F60C1A0002-M69W Спецификации продукции Атрибут Стоимость Каталог проду......
контакт

Add to Cart

Микросхема памяти DRAM 512 МБ, 16 бит, 1,575 В, FBGA-96, H5TQ4G63EFR-RDC

DRAM Dynamic Random Access Memory Chip 512MB 16-bit FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC Технические характеристики продукта Атрибут Значение......
контакт

Add to Cart

DDR3L X16 4 Гбит DRAM чип промышленный F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Динамическая память случайного доступа DRAM Industrial F60C1A0004-M7 DDR3L X16 4Gb F60C1A0004-M79W Спецификации продукции Атрибут Стоимость Ка......
контакт

Add to Cart

Микросхема памяти DRAM 2 ГБ F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Динамический случайный доступ память DRAM 2GB F-DIE DDR3 SDRAM X16 K4B2G1646F-BCMA Спецификации продукта Атрибут Ценить Ката......
контакт

Add to Cart

FBGA-200 микросхема памяти DRAM 8 Гбит X16 X2 канала LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

Динамический случайный доход память DRAM 8GB x16 x2-канал Mobile LPDDR4/LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI Спецификации продукта Атрибут Ц......
контакт

Add to Cart

K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND Флэш-память чип

Встроенный чип памяти NAND-Flash K3KL9L90CM-MGCT в основном применяется в высококлассных мобильных устройствах K3KL9L90CM-MGCT K3KL9L90CM-MGCT - вст.....
контакт

Add to Cart

8 Гбит 1,35 В низкое напряжение DDR3L SDRAM DRAM Memory Chip с 1600 МТ/с скоростью в пакете FBGA-96

IS43TR16512BL-125KBLI DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT СТРАНИЦЫ Стандартное напряжение: VDD и VDDQ = 1,5V ± 0,075V Низкое напряжение (L): VDD......
контакт

Add to Cart

Запрос Корзина 0