Обломок IC памяти ОБЛОМОКА SRAM IS61WV25616BLL-10TLI IC - асинхронная память IC 4Mb параллельное 10ns TSOP44
ОСОБЕННОСТИ:
БЫСТРЫЙ ХОД: (IS61/64WV25616ALL/BLL)
• Высокоскоростное время выборки: 8, 10, 20 ns
• Низкая активная сила: 85 mW (типичное)
• Низкая резервная сила: положение боевой готовности 7 mW (типичного) CMOS
НИЗКАЯ МОЩНОСТЬ: (IS61/64WV25616ALS/BLS)
• Высокоскоростное время выборки: 25, 35, 45 ns
• Низкая активная сила: 35 mW (типичное)
• Низкая резервная сила: 0,6 положения боевой готовности mW (типичных) CMOS
• Одиночное электропитание
— VDD 1.65V к 2.2V (IS61WV25616Axx)
— VDD 2.4V к 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)
• Полностью статическая деятельность: никакие часы или не освежают требовать
• 3 выхода государства
• Контроль данных для верхних и более низких байт
• Промышленная и автомобильная поддержка температуры
• Неэтилированное доступное
ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ БЛОК-СХЕМА:
ОПИСАНИЕ
ISSI IS61WV25616Axx/Bxx и IS64WV25616Bxx
высокоскоростны, 4 194 304 штосселя бита статических организованного как 262 144 слова 16 битами. Технология CMOS изготовленных usingISSI высокопроизводительная. Этот сильно надежные про- cess соединенные с новаторскими методами расчета цепи,
выходы высокопроизводительные и недостатки потребления низкой мощности де-.
Когда CE ВЫСОКО (отсеиванный), прибор принимает режим ожидания на который диссипацию силы можно уменьшить вниз с уровнями входного сигнала CMOS.
Легкое расширение памяти обеспечено путем использование обломока позволяет и выход включает входные сигналы, CE и OE. Активный НИЗКИЙ УРОВЕНЬ пишет позволяет (МЫ) контролирует и сочинительство и чтение памяти. Байт данных позволяет верхнему байту (UB) и более низкому доступу байта (LB).
IS61WV25616Axx/Bxx и IS64WV25616Bxx упакованы в типе II и 48 штырь мини BGA штыря TSOP стандарта 44 JEDEC (6mm x 8mm).
ХАРАКТЕРИСТИКИ DC ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ (над рабочим диапазоном)
VDD = 3.3V + 5%
| Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
MIN. |
Максимальный. |
Блок |
| VOH |
Высокое напряжение выхода |
VDD = MIN., IOH = – 4,0 мамы |
2,4 |
— |
V |
| VOL. |
Низшее напряжение выхода |
VDD = MIN., IOL = 8,0 мамы |
— |
0,4 |
V |
| VIH |
Высокое напряжение входного сигнала |
|
2 |
VDD + 0,3 |
V |
| VIL |
Низшее напряжение входного сигнала (1) |
|
– 0,3 |
0,8 |
V |
| ILI |
Входная утечка |
£ VDD £ VIN GND |
– 1 |
1 |
µA |
| ILO |
Утечка выхода |
£ VDD £ VOUT GND, выходы вывело из строя |
– 1 |
1 |
µA |
Примечание:
1. VIL (MIN.) = – DC 0.3V; VIL (MIN.) = – AC 2.0V (ширина ИМПа ульс < 10 ns). Не испытанное 100%.
VIH (максимальное) = DC VDD + 0.3V; VIH (максимальное) = AC VDD + 2.0V (ширина ИМПа ульс < 10 ns). Не испытанное 100%.
ХАРАКТЕРИСТИКИ DC ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ (над рабочим диапазоном)
VDD = 2.4V-3.6V
| Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
MIN. |
Максимальный. |
Блок |
| VOH |
Высокое напряжение выхода |
VDD = MIN., IOH = – 1,0 мамы |
1,8 |
— |
V |
| VOL. |
Низшее напряжение выхода |
VDD = MIN., IOL = 1,0 мамы |
— |
0,4 |
V |
| VIH |
Высокое напряжение входного сигнала |
|
2,0 |
VDD + 0,3 |
V |
| VIL |
Низшее напряжение входного сигнала (1) |
|
– 0,3 |
0,8 |
V |
| ILI |
Входная утечка |
£ VDD £ VIN GND |
– 1 |
1 |
µA |
| ILO |
Утечка выхода |
£ VDD £ VOUT GND, выходы вывело из строя |
– 1 |
1 |
µA |
Примечание:
1. VIL (MIN.) = – DC 0.3V; VIL (MIN.) = – AC 2.0V (ширина ИМПа ульс < 10 ns). Не испытанное 100%.
VIH (максимальное) = DC VDD + 0.3V; VIH (максимальное) = AC VDD + 2.0V (ширина ИМПа ульс < 10 ns). Не испытанное 100%.
ХАРАКТЕРИСТИКИ DC ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ (над рабочим диапазоном)
VDD = 1.65V-2.2V
| Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
VDD |
MIN. |
Максимальный. |
Блок |
| VOH |
Высокое напряжение выхода |
IOH = -0,1 мамы |
1.65-2.2V |
1,4 |
— |
V |
| VOL. |
Низшее напряжение выхода |
IOL = 0,1 мамы |
1.65-2.2V |
— |
0,2 |
V |
| VIH |
Высокое напряжение входного сигнала |
|
1.65-2.2V |
1,4 |
VDD + 0,2 |
V |
| VIL (1) |
Низшее напряжение входного сигнала |
|
1.65-2.2V |
– 0,2 |
0,4 |
V |
| ILI |
Входная утечка |
£ VDD £ VIN GND |
– 1 |
1 |
µA |
| ILO |
Утечка выхода |
£ VDD £ VOUT GND, выходы вывело из строя |
– 1 |
1 |
µA |
Примечание:
1. VIL (MIN.) = – DC 0.3V; VIL (MIN.) = – AC 2.0V (ширина ИМПа ульс < 10 ns). Не испытанное 100%.
VIH (максимальное) = DC VDD + 0.3V; VIH (максимальное) = AC VDD + 2.0V (ширина ИМПа ульс < 10 ns). Не испытанное 100%.
УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ AC
| Параметр |
Блок |
Блок |
Блок |
| |
(2.4V-3.6V) |
(3.3V +10%) |
(1.65V-2.2V) |
| InputPulseLevel |
0Vto3V |
0Vto3V |
0Vto1.8V |
| Подъем входного сигнала и времена падения |
1V/ ns |
1V/ ns |
1V/ ns |
| AndReferenceLevel InputandOutputTiming (VRef) |
1.5V |
1.5V |
0.9V |
| OutputLoad |
См. диаграммы 1 и 2 |
См. диаграммы 1 и 2 |
См. диаграммы 1 и 2 |
