Хранение микросхемы памяти микросхемы памяти H9CCNNN8JTALAR 8Gb LPDDR3 BGA178 ДРАХМЫ
H9CCNNN8JTALAR
Особенности:
[FBGA]
- Температура деятельности
- -30 ' C | 105' C - Packcage
- 178-ball FBGA
- 11.0x11.5mm2, 1.00t, тангаж 0.65mm
- Руководство & галоид свободные
[LPDDR3]
- VDD1 = 1.8V (1.7V к 1.95V)
- VDD2, VDDCA и VDDQ = 1.2V (1.14V до 1,30)
- Интерфейс HSUL_12 (высокоскоростная Unterminated логика 1.2V)
- Двойные данные классифицируют архитектуру для команды, адреса и шины данных;
- все контроль и адрес за исключением CS_n, CKE заперли на задвижку и на поднимая и падая крае часов
- CS_n, CKE заперло на задвижку на поднимая крае часов
- 2 доступа к данным в такт - Входные сигналы дифференциальных часов (CK_t, CK_c)
- Двухнаправленный дифференциальный строб данных (DQS_t, DQS_c)
- Сделка данным по источника одновременная выровнянная к двухнаправленному дифференциальному стробу данных (DQS_t, DQS_c)
- Выводы данных выровнянные к краю деятельности строба данных (DQS_t, DQS_c) когда ПРОЧИТАННОЙ
- Вводы данных выровнянные к центру строба данных (DQS_t, DQS_c) когда ПИШУТ деятельность - Маски в СМ пишут данные на и поднимая и падая крае строба данных
- Programmable RL (прочитанная латентность) и WL (напишите латентность)
- Programmable разрыванная длина: 8
- Автомобиль освежает и собственная личность освежает поддержанный
- Весь автомобиль банка освежить и в автомобиль банка освежает поддержанный
- Автоматическое TCSR (собственная личность компенсированная температурой освежает)
- PASR (частично собственная личность массива освежает) маской банка и маской этапа
- DS (прочность привода)
- DPD (глубокая сила вниз)
- ZQ (тарировка)
- ODT (на прекращении плашки
