Хранение микросхемы памяти микросхемы памяти H9HCNNNBUUMLHR 16Gb LPDDR4 BGA200 ДРАХМЫ микросхемы памяти ДРАХМЫ
Спецификации
H9HCNNNBUUMLHR
Особенности
· VDD1 = 1.8V (1.7V к 1.95V)
· VDD2, VDDCA и VDDQ = 1.1V (1,06 до 1,17)
· VSSQ прекратило сигналы DQ (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI)
· Одиночные данные классифицируют архитектуру для команды и адреса;
- все контроль и адрес запертые на задвижку на поднимая крае часов
· Двойные данные классифицируют архитектуру для шины данных;
- 2 доступа к данным в такт
· Входные сигналы дифференциальных часов (CK_t, CK_c)
· Двухнаправленный дифференциальный строб данных (DQS_t, DQS_c)
- Сделка данным по источника одновременная выровнянная к двухнаправленному дифференциальному стробу данных (DQS_t, DQS_c)
· Поддержка штыря DMI для пишет данные маскируя и функциональность DBIdc
· Programmable RL (прочитанная латентность) и WL (напишите латентность)
· Длина взрыва: 16 (дефолт), 32 и на ходу
- На лету режим позволен ГОСПОЖОЙ
· Автомобиль освежает и собственная личность освежает поддержанный
· Весь автомобиль банка освежить и сразу в автомобиль банка освежает поддержанный
· Автоматическое TCSR (собственная личность компенсированная температурой освежает)
· PASR (частично собственная личность массива освежает) маской банка и маской этапа
· Тарировка предпосылки ZQ
