Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная / продукты / Power Mosfet Transistor /

ТРАНЗИСТОР транзистора НПН Мосфет силы мосфет электрический ик силы канавы ХДЖ44Х11 ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНЫЙ

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

ТРАНЗИСТОР транзистора НПН Мосфет силы мосфет электрический ик силы канавы ХДЖ44Х11 ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНЫЙ

Спросите последнюю цену
Номер модели :HJ44H11
Место происхождения :Первоначально фабрика
Количество минимального заказа :10pcs
Термины компенсации :T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :8600пкс
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
Напряжение тока коллектор- эмиттера :80 в
напряжение тока Излучател-основания :5 v
Течение сборника :8 а
Ток базы :5 a
Температура соединения :℃ +150
Температура хранения :-55~+150 ℃
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

 

ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ХДЖ44Х11 НПН

ТРАНЗИСТОР НПН ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНЫЙ

 

ОПИСАНИЕ „

УТК ХДЖ44Х11 конструирован для таких применений как: серия, шунт и регуляторы переключения; выход и задающие каскады усилителей работая на частотах от ДК к большой чем 1МХз; низкие и высокочастотные инверторы/конвертеры; и много других.

 

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (ТА=25℃)

ПАРАМЕТР СИМВОЛ ОЦЕНКИ БЛОК
Напряжение тока коллектор- эмиттера ВГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР 80 В
Напряжение тока коллектор- эмиттера ВКЭС 80 В
Напряжение тока Излучател-основания ВЭБО 5 В
Течение сборника ИК 8 А
Ток базы ИБ 5 А
Диссипация силы (ТК=25℃) СОТ-223 ПД 5 В
ТО-220 65 В
ТО-252 20 В
Температура соединения ТДж +150
Температура хранения ТСТГ -55~+150

Примечание: Абсолютный максимум оценок те значения за которыми прибор смог постоянно быть поврежден.

          Абсолютный максимум оценок оценки стресса только и функциональная деятельность прибора не подразумевается.

 

ТРАНЗИСТОР транзистора НПН Мосфет силы мосфет электрический ик силы канавы ХДЖ44Х11 ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНЫЙ

 

ТИПИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

ТРАНЗИСТОР транзистора НПН Мосфет силы мосфет электрический ик силы канавы ХДЖ44Х11 ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНЫЙ

 

 

 

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали. К'ты МФГ Д/К Пакет
НТР4502ПТ1Г 38000 НА 16+ СОТ-23
ЛТК1763КС8 6110 ЛТ 15+ СОП
ЛП2985-30ДБВР 4843 ТИ 15+ СОТ-23-5
ЛП2986АИМС-3.3 2463 НСК 14+ СОП-8
МК1458Д 10000 СТ 16+ СОП
МР752 6281 НА 16+ ПОГРУЖЕНИЕ
ММБТ3906-7-Ф 28000 ДИОДЫ 16+ СОТ-23
ПИК10Ф220Т-И/ОТ 9050 МИКРОСХЕМА 16+ СОТ
ПИК16Ф684-И/СЛ 5073 МИКРОСХЕМА 16+ СОП
Л7915КД2Т 3697 СТ 15+ ТО263
ЛМ2940Т-9.0 3179 НСК 12+ ТО-220
ЛМ399Х 3026 НСК 14+ СМОГИТЕ
ММБФ5460 30000 ФЭЙРЧАЙЛД 16+ СОТ-23
ОБ2201ККПА 5480 ОН-БРИГХТ 16+ СОП-8
ЛМВ339ИПВР 4737 ТИ 15+ ТССОП-14
М1МА142ВКТ1 40000 НА 16+ СОТ
МДЖЭ350Г 10000 НА 16+ ТО-126
МТ48ЛК64М8А2П-75 7338 МИКРОН 16+ ТСОП
ЗСМ64П02СТА 1500 ЗЭТЭС 15+ МСОП-8
МТ29Ф2Г08АБАЭАВП: Э 6953 МИКРОН 15+ ТСОП
ЛМ339ПВР 30000 ТИ 14+ ТССОП-14

 

 

 

 

 

 

Запрос Корзина 0