Транзистор влияния поля режима повышения уровня логики П-канала НДС356АП
Общее описание
Транзисторы влияния поля силы режима повышения уровня логики П-канала СуперСОТТМ-3 произведены используя Фэйрчайлда собственнический, высокую плотность клеток, технологию ДМОС. Этот очень хигх-денситы процесс особенно портняжничан для того чтобы уменьшить сопротивление на-государства. Эти приборы особенно одеты для применений низшего напряжения как управление силы ноутбука, портативная электроника, и другие цепи батареи использующие энергию где быстрое на стороне высокого давления переключение, и низкие встроенные потери электропитания необходимы в очень небольшом пакете держателя поверхности плана.
Особенности
►-1.1 А, -30 В, РДС (ДАЛЬШЕ) = 0,3 В @ ВГС=-4.5 В
РДС (ДАЛЬШЕ) = 0,2 В @ ВГС=-10 В.
►Индустры стандартный пакет держателя поверхности плана СОТ-23
используя собственнический дизайн СуперСОТТМ-3 для главного восходящего потока теплого воздуха
и электрические возможности.
Дизайн клетки ► хигх-денситы для весьма - низкого РДС (ДАЛЬШЕ).
на-сопротивление ►Экссептионал и возможность течения ДК максимума.
Абсолютный максимум ЖИВОТИКОВ оценок = 25°К если не указано иное
| Символ |
Параметр |
НДС356АП |
Блоки |
| ВДСС |
Напряжение тока Сток-источника |
-30 |
В |
| ВГСС |
Напряжение тока Ворот-источника - непрерывное |
±20 |
В |
| ИД |
Максимальное течение стока - непрерывное |
±1.1 |
А |
| ПД |
Максимальная диссипация силы |
0,5 |
В |
| ТДЖ, ТСТГ |
Оператинг и диапазон температур хранения |
-55 до 150 |
°К |
