Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная / продукты / Power Mosfet Transistor /

Транзисторы силы 2СК5707 кремния ПНП/НПН эпитаксиальные плоскостные для сильнотокового переключения

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

Транзисторы силы 2СК5707 кремния ПНП/НПН эпитаксиальные плоскостные для сильнотокового переключения

Спросите последнюю цену
Номер модели :2SC5707
Место происхождения :Первоначально фабрика
Количество минимального заказа :20
Термины компенсации :T/T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :9500
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
Начальный ток коллектора :<>
Течение выключения излучателя :<>
Увеличение ДК настоящее :200-560
продукт Увеличени-ширины полосы частот :(290) 330 МХз
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Транзисторы силы 2СК5707 кремния ПНП/НПН эпитаксиальные плоскостные для сильнотокового переключения

 

Применения

• Конвертер ДК/ДК, водители реле, водители лампы, водители мотора, вспышка

 

Особенности

• Принятие процессов ФБЭТ и МБИТ.

• Большая настоящая емкость.

• Низкое напряжение тока сатурации сборник-к-излучателя.

• Высокоскоростное переключение.

• Высокая позволяемая диссипация силы.

 

Спецификации (): 2СА2040

Абсолютный максимум оценок на Та=25°К

          Параметр   Символ      Условия       Оценки    Блок
  Напряжение тока Сборник-к-основания    ВКБО      --               (--50) 100       В
  Напряжение тока Сборник-к-излучателя    ВКЭС      --               (--50) 100       В
  Напряжение тока Сборник-к-излучателя    ВГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР      --                  (--) 50       В
  Напряжение тока Излучател-к-основания    ВЭБО      --                  (--) 6       В
  Течение сборника     ИК      --                  (--) 8       А
  Течение сборника (ИМП ульс)     ИКП      --                  (--) 11       А
  Ток базы     ИБ      --                  (--) 2       А
  Диссипация сборника     ПК  

     --

     Тк=25°К

                  1,0

                   15

      В

      В

  Температура соединения      Тдж      --                    150      °К
  Температура хранения      Стг т      --          --55 до +150      °К

 

Электрические характеристики на Та=25°К

         Параметр  Символ               Условия   минимальный.    Тип.   максимальный.   блок
  Начальный ток коллектора    ИКБО    ВКБ= (--) 40В, Т.Е. =0А   --    --   (--) 0,1   µА
  Течение выключения излучателя    ИЭБО    ВЭБ= (--) 4В, ИК=0А   --    --   (--) 0,1   µА
  Увеличение ДК настоящее     ФЭ х    ВКЭ= (--) 2В, ИК= (--) 500мА   200    --   560   --
  Продукт Увеличени-ширины полосы частот      фт    ВКЭ= (--) 10В, ИК= (--) 500мА   --  (290) 330   --   МХз
  Емкость выхода     Удар    ВКБ= (--) 10В, ф=1МХз   --   (50) 28   --   пФ
  Напряжение тока сатурации Сборник-к-излучателя

 В (сидеть)КЭ 1

 В (сидеть)КЭ 2

    ИК= (--) 3.5А, ИБ= (--) 175мА

    ИК= (--) 2А, ИБ= (--) 40мА

  --

  --

(--230) 160

(--240) 110

(--390) 240

(--400) 170

  мВ

  мВ

  Основани-к-Эмиттерр напряжению тока сатурации   В (сидеть)     ИК= (--) 2А, ИБ= (--) 40мА   --   (--) 0,83   (--) 1,2    В
  Пробивное напряжение Сборник-к-основания  В(БР)КБО     ИК= (--) 10µА, Т.Е. =0А (--50) 100   --   --    В
  Пробивное напряжение Сборник-к-излучателя  В(БР)КЭС     ИК= (--) 100µА, РБЭ=0Ω (--50) 100   --   --    В
  Пробивное напряжение Сборник-к-излучателя  ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В(БР)     ИК= (--) 1мА, РБЭ=∞   (--) 50  --   --    В
  Пробивное напряжение Излучател-к-основания   В(БР)ЭБО     Т.Е. = (--) 10µА, ИК=0А   (--) 6  --   --    В
  Турн-Он время    тдальше    Се определил цепь теста.   --  (40) 30   --   нс
  Продолжительность хранения    стг т    Се определил цепь теста.   --  (225) 420   --   нс
  Время падения      тф    Се определил цепь теста.   --       25   --   нс

 

 

  Пакет проставляет размеры размеры пакета

  блок: блок мм: мм

  7518-003 7003-003

Транзисторы силы 2СК5707 кремния ПНП/НПН эпитаксиальные плоскостные для сильнотокового переключения

 

Цепь теста времени переключения

Транзисторы силы 2СК5707 кремния ПНП/НПН эпитаксиальные плоскостные для сильнотокового переключения

Транзисторы силы 2СК5707 кремния ПНП/НПН эпитаксиальные плоскостные для сильнотокового переключения

Транзисторы силы 2СК5707 кремния ПНП/НПН эпитаксиальные плоскостные для сильнотокового переключения

Транзисторы силы 2СК5707 кремния ПНП/НПН эпитаксиальные плоскостные для сильнотокового переключения

Транзисторы силы 2СК5707 кремния ПНП/НПН эпитаксиальные плоскостные для сильнотокового переключения

Транзисторы силы 2СК5707 кремния ПНП/НПН эпитаксиальные плоскостные для сильнотокового переключения

 

 

 

Запрос Корзина 0