Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
9 лет
Главная / продукты / Power Mosfet Transistor /

Транзистор влияния поля режима повышения Н-канала транзистора Мосфет силы АО3400А

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

Транзистор влияния поля режима повышения Н-канала транзистора Мосфет силы АО3400А

Спросите последнюю цену
Номер модели :AO3400A
Место происхождения :100% новое & первоначально
Количество минимального заказа :ТИПСЫ
Термины компенсации :T/T, западное соединение, Payapl
Способность поставкы :6000PCS
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
напряжение тока Сток-источника :30 v
Напряжение тока Строб-Источника :±12 v
Пульсированный сток настоящий б :25 a
Непрерывный сток :ТА=25°К
Диапазон температур соединения и хранения :-55 к 150°К
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Транзистор влияния поля режима повышения Н-канала транзистора Мосфет силы АО3400ААО3400А

Транзистор влияния поля режима повышения Н-канала

 

Общее описание

Выдвинутые пользы АО3400А вскапывают технологию для того чтобы обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот. Этот прибор соответствующий для пользы как переключатель нагрузки или в применениях ПВМ. Стандартный продукт АО3400А Пб свободен от (встречает РОХС & Соны 259 спецификаций).

 

 

Особенности

ВДС (в) = 30В

 

ИД = 5.7А (ВГС = 10В)

 

РДС (ДАЛЬШЕ) < 26="">

 

РДС (ДАЛЬШЕ) < 32m="">

 

РДС (ДАЛЬШЕ) < 48m="">

 

 

 

 

Термальные характеристики
Параметр Символ Тип  Макс Блоки
Максимальное Соединени-к-окружающее а ≤ 10с т РθДжА 70 90 °К/В
Максимальное Соединени-к-окружающее а Номинальный 100 125 °К/В
Максимальное Соединени-к-руководство к Номинальный РθДжЛ 63 80 °К/В

 

Запрос Корзина 0