Пакет FBGA-96 ROHS K4B4G1646E-BYMA Samsung ГДР SDRAM
ДОСТИГАЕМОСТЬ микросхем памяти FBGA-96 ГДР Samsung K4A4G165WF-BCTD Sdram без изменений
MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 66TSOP Micron Technology Inc.
Производство подложки памяти IC для DDR/LPDDR
1-1473005-1 TE Connectivity AMP Разъемы SODIMM DDR SDRAM Socket
EP1C6Q240C8 IC CHIP PROGRAMMER EP1C6Q240C8N ФПГА ПРОГРАММИРОВАННАЯ ВОРНАЯ АРРЕЯ ФПГА ЦИКЛОН I 598 ЛАБ 185 IOS
Микрон MT41K256M16TW-107 AIT: Обломок 512Mb DDR3 SDRAM Ic флэш-памяти p
MT46V16M16P-75: Поднос ГДР SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP обломока ДРАХМЫ МИКРОНА F
МТ46В8М16ТГ-6Т ИТ: ДВОЙНАЯ СТУПЕНЬ ДАННЫХ ДДР СДРАМ ДВОИЧНОЙ ИСКЛЮЧИТЕЛЬНОЙ СХЕМЫ ИСОБЛ.
SDRAM - память IC MT46V16M16P-5B ГДР: Параллель m 256Mbit 200 MHz 700 обломок Ps 66-TSOP электронный IC
Регулятор 1,35 v прекращения LP2998MA NOPB ГДР до 5,5 v
Anterwell Technology Ltd.
97-0284
Обломок MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D IC памяти 1GB ГДР SDRAM
Оперативное запоминающее устройство Х9ХКНННБПУМЛХР НМО одновременное динамическое
Современная плата с печатным монтажом Pcb ДРАХМЫ DDR3 LPDDR2 LPDDR3 DDR4 2.0mm
16Мкс16 проходят обломок прошед параллельно параллельно 46В16М16 СДРАМ ИК интегральной схемаы - память ИК 256Мб ГДР