Транзистор влияния поля TK13A60D ТОШИБА
NDT452AP Power Mosfet Transistor P Channel Enhancement Mode Полевой транзистор
Интегральные схемаы электронных блоков транзистора влияния поля MOS FET TO-3P MOS силы транзистора 2SK1489 1489
автомобиль 238W откалывает транзисторы TO-247-3 диафрагмы поля зрения канавы AFGHL40T65SPD IGBT
Транзистор поля EP4CE40F23I7N Programmable одевает 200MHz 328 I/O 484FBGA Intel
Мод усиления канала N Мощность MOSFET JY8N5M TO252 Высокая мощность 500V 4A Труба с эффектом поля
Диод выпрямителя тока СМ4001 влияния поля СМД СМ4002 СМ4003 СМ4004 СМ4005 СМ4006 СМ400
Диафрагма поля зрения IGBT 600V 60A 230W канавы BIDW30N60T до отверстие TO-247
Графитная композитная тепловая подушка для повышенной теплопроводности между транзисторами и теплоотводами
Линейная структура 3403Д-У-В транзистора влияния поля Мос силы вертикальная
Обломок транзистора влияния поля MOS FDB2614 TO-263 совершенно новый и первоначальный интегральной схемаы
Транзистор влияния поля силы MOSFET 100W 400MHz Rf RF транзистора МАМ MRF175LU
Onsemi NDT3055L/транзистор Фэйрчайлда - N-канал, уровень логики, влияние поля EnhancementMode