Пакет FBGA-96 ROHS K4B4G1646E-BYMA Samsung ГДР SDRAM
1-1473005-1 TE Connectivity AMP Разъемы SODIMM DDR SDRAM Socket
Микрон MT41K256M16TW-107 AIT: Обломок 512Mb DDR3 SDRAM Ic флэш-памяти p
ДОСТИГАЕМОСТЬ микросхем памяти FBGA-96 ГДР Samsung K4A4G165WF-BCTD Sdram без изменений
Производство подложки памяти IC для DDR/LPDDR
Обломок MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D IC памяти 1GB ГДР SDRAM
Anterwell Technology Ltd.
МТ46В8М16ТГ-6Т ИТ: ДВОЙНАЯ СТУПЕНЬ ДАННЫХ ДДР СДРАМ ДВОИЧНОЙ ИСКЛЮЧИТЕЛЬНОЙ СХЕМЫ ИСОБЛ.
MT46V16M16P-75: Поднос ГДР SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP обломока ДРАХМЫ МИКРОНА F
Андроид 5,1 navi gps автомобиля Ouchuangbo multi для Benz умное 2015 Мерседес с 3g wifi SWC 1GB ГДР
MT47H64M16NF-25E: Микросхема памяти 64MX16 FBGA m FBGA-84 1Gb SDRAM
C.P.U. CortexTM A7 андроида 5,0 ПК планшета детей SSD 16GB 1024*600 ГДР 1GB
ГЭ 1ГБ СДРАМ 7304-НПЭ-Г100 1000Басе - т использовал маршрутизатор сети оборудования Сиско
16Мкс16 проходят обломок прошед параллельно параллельно 46В16М16 СДРАМ ИК интегральной схемаы - память ИК 256Мб ГДР
SDRAM - память IC MT46V16M16P-5B ГДР: Параллель m 256Mbit 200 MHz 700 обломок Ps 66-TSOP электронный IC
Регулятор 1,35 v прекращения LP2998MA NOPB ГДР до 5,5 v