Общее описание: Особенности: JY4N8M использует новейшие методы обработки траншеи для достижения высокой плотности клеток и уменьшает сопротивление......
Общее описание: Продукт использует передовые планарные методы обработки для достижения высокой плотности клеток и уменьшает сопротивление с высоким......
Общие описания: JY12M представляет собой N и P каналы логического усиления режима транзисторы силового поля производятся с использованием высокой пл.....
Общее описание: JY16M использует новейшие методы обработки траншеи для достижения высокой плотности клеток и уменьшает сопротивление при высоком уро.....
Описание: JY14M использует новейшие методы обработки траншеи для достижения высокой плотности клеток и уменьшает сопротивление при высоком уровне по.....
Общее описание: Продукт использует новейшие методы обработки траншеи для достижения высокой плотности клеток и уменьшает сопротивление при низком за.....
Общее описание: JY11M использует новейшие методы обработки траншеи для достижения высокой плотности клеток и уменьшает сопротивление с высоким рейтин....
Описание: JY213L представляет собой высокоскоростной трехфазный драйвер шлюза для мощных устройств MOSFET и IGBT с тремя независимыми высокими и низ.....
Описание: JY213H представляет собой высокоскоростной MOSFET и IGBT драйвер с тремя независимыми высокими и низкими боковыми выходной каналами для 3-.....