продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2018LFK-7 одиночные

Категории продукта

Интегральные микросхемы

 [2964]

Микросхема памяти

 [2994]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2489]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [2717]

Полевой транзистор

 [1605]

Силовой модуль БТИЗ

 [1002]

Триод диода

 [300]

Общецелевой конденсатор

 [40]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [112]

Взрыватели защиты сети

 [186]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2018LFK-7 одиночные wholesale
  • China MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2018LFK-7 одиночные wholesale

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2018LFK-7 одиночные
Спросите последнюю цену
Номер детали :DMP2018LFK-7
Изготовитель :Включаемые диоды
Описание :MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации DMP2018LFK-7

Состояние части Активный
Тип FET P-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 20V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 9.2A (животики)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) 1.5V, 4.5V
Id Vgs (th) (Макс) @ 1.2V @ 200µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 113nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 4748pF @ 10V
Vgs (Макс) ±12V
Особенность FET -
Диссипация силы (Макс) 1W (животики)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 16 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика U-DFN2523-6
Пакет/случай 6-PowerUDFN
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка DMP2018LFK-7

Обнаружение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2018LFK-7 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2018LFK-7 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2018LFK-7 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2018LFK-7 одиночные

Метки товара:

pnp transistor datasheet

pnp smd transistor

smd pnp transistor
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4