продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7331PBF

Категории продукта

Интегральные микросхемы

 [2722]

Микросхема памяти

 [2976]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2489]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [2668]

Полевой транзистор

 [1586]

Силовой модуль БТИЗ

 [963]

Триод диода

 [291]

Общецелевой конденсатор

 [40]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [96]

Компонент реле

 [112]

Взрыватели защиты сети

 [178]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7331PBF wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7331PBF wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7331PBF
Спросите последнюю цену
Номер детали :IRF7331PBF
Изготовитель :Технологии Infineon
Описание :MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Серия :HEXFET®
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации IRF7331PBF

Состояние части Прерыванный на Digi-ключе
Тип FET N-канал 2 (двойной)
Особенность FET Ворота уровня логики
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 20V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 7A
Rds на (Макс) @ id, Vgs 30 mOhm @ 7A, 4.5V
Id Vgs (th) (Макс) @ 1.2V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 1340pF @ 16V
Сила - Макс 2W
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай 8-SOIC (0,154", ширина 3.90mm)
Пакет прибора поставщика 8-SO
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка IRF7331PBF

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7331PBFМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7331PBFМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7331PBFМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7331PBF

Метки товара:

igbt saturation voltage

pnp transistor array

npn transistor array
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4