продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7507PBF

Категории продукта

Интегральные схемаы ICS

 [3000]

Обломок IC памяти

 [3000]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2527]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [3000]

Транзистор влияния поля

 [1828]

Модуль силы IGBT

 [1002]

Триод диода

 [303]

Общецелевой конденсатор

 [41]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [203]

Взрыватели защиты сети

 [195]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7507PBF wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7507PBF wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7507PBF
Спросите последнюю цену
Номер детали :IRF7507PBF
Изготовитель :Технологии Infineon
Описание :MOSFET N/P-CH ДВОЙНОЕ 20V MICRO-8
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Серия :HEXFET®
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации IRF7507PBF

Состояние части Прерыванный на Digi-ключе
Тип FET N и P-канал
Особенность FET Ворота уровня логики
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 20V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 2.4A, 1.7A
Rds на (Макс) @ id, Vgs 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Id Vgs (th) (Макс) @ 700mV @ 250µA (минута)
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 8nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 260pF @ 15V
Сила - Макс 1.25W
Рабочая температура -
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", ширина 3.00mm)
Пакет прибора поставщика Micro8™
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка IRF7507PBF

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7507PBFМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7507PBFМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7507PBFМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7507PBF

Метки товара:

pnp transistor array

npn transistor array

igbt saturation voltage
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4