продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CSD87350Q5D

Категории продукта

Интегральные микросхемы

 [2722]

Микросхема памяти

 [2976]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2489]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [2668]

Полевой транзистор

 [1586]

Силовой модуль БТИЗ

 [963]

Триод диода

 [291]

Общецелевой конденсатор

 [40]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [96]

Компонент реле

 [112]

Взрыватели защиты сети

 [178]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CSD87350Q5D wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CSD87350Q5D wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CSD87350Q5D
Спросите последнюю цену
Номер детали :CSD87350Q5D
Изготовитель :Texas Instruments
Описание :MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Серия :NexFET™
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации CSD87350Q5D

Состояние части Активный
Тип FET N-канал 2 (двойной)
Особенность FET Ворота уровня логики
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 30V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 40A
Rds на (Макс) @ id, Vgs 5,9 mOhm @ 20A, 8V
Id Vgs (th) (Макс) @ 2.1V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 10.9nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 1770pF @ 15V
Сила - Макс 12W
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай 8-PowerLDFN
Пакет прибора поставщика 8-LSON (5x6)
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка CSD87350Q5D

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CSD87350Q5DМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CSD87350Q5DМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CSD87350Q5DМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CSD87350Q5D

Метки товара:

npn transistor array

mosfet array

darlington array ic
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4