продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDMC8030

Категории продукта

Интегральные микросхемы

 [2964]

Микросхема памяти

 [2994]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2489]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [2717]

Полевой транзистор

 [1605]

Силовой модуль БТИЗ

 [1002]

Триод диода

 [300]

Общецелевой конденсатор

 [40]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [112]

Взрыватели защиты сети

 [186]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDMC8030 wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDMC8030 wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDMC8030
Спросите последнюю цену
Номер детали :FDMC8030
Изготовитель :Полупроводник Fairchild/ON
Описание :MOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Серия :PowerTrench®
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации FDMC8030

Состояние части Активный
Тип FET N-канал 2 (двойной)
Особенность FET Ворота уровня логики
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 40V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 12A
Rds на (Макс) @ id, Vgs 10 mOhm @ 12A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 2.8V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 30nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 1975pF @ 20V
Сила - Макс 800mW
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай 8-PowerWDFN
Пакет прибора поставщика 8-MLP (3x3), Power33
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка FDMC8030

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDMC8030Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDMC8030Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDMC8030Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDMC8030

Метки товара:

pnp transistor array

npn transistor array

tofd phased array
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4