продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

BUK9K29-100E, 115 массивов MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

Категории продукта

Интегральные микросхемы

 [2722]

Микросхема памяти

 [2976]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2489]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [2668]

Полевой транзистор

 [1586]

Силовой модуль БТИЗ

 [963]

Триод диода

 [291]

Общецелевой конденсатор

 [40]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [96]

Компонент реле

 [112]

Взрыватели защиты сети

 [178]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China BUK9K29-100E, 115 массивов MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля wholesale
  • China BUK9K29-100E, 115 массивов MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля wholesale

BUK9K29-100E, 115 массивов MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Спросите последнюю цену
Номер детали :BUK9K29-100E, 115
Изготовитель :Nexperia США Inc.
Описание :MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Серия :Автомобильный, AEC-Q101, TrenchMOS™
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

BUK9K29-100E, 115 спецификаций

Состояние части Активный
Тип FET N-канал 2 (двойной)
Особенность FET Ворота уровня логики
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 100V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 30A
Rds на (Макс) @ id, Vgs 27 mOhm @ 10A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 2.1V @ 1mA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 54nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 3491pF @ 25V
Сила - Макс 68W
Рабочая температура -55°C | 175°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай SOT-1205, 8-LFPAK56
Пакет прибора поставщика LFPAK56D
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

BUK9K29-100E, 115 упаковывая

Обнаружение

BUK9K29-100E, 115 массивов MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поляBUK9K29-100E, 115 массивов MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поляBUK9K29-100E, 115 массивов MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поляBUK9K29-100E, 115 массивов MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

Метки товара:

npn transistor array

darlington transistor array

darlington array ic
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4