продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / IGBT Power Module /

Модуль силы IGBT APT45GP120BG 1200V 100A через установку отверстия

Категории продукта

Интегральные микросхемы

 [2722]

Микросхема памяти

 [2976]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2489]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [2668]

Полевой транзистор

 [1586]

Силовой модуль БТИЗ

 [963]

Триод диода

 [291]

Общецелевой конденсатор

 [40]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [96]

Компонент реле

 [112]

Взрыватели защиты сети

 [178]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Модуль силы IGBT APT45GP120BG 1200V 100A через установку отверстия wholesale
  • China Модуль силы IGBT APT45GP120BG 1200V 100A через установку отверстия wholesale

Модуль силы IGBT APT45GP120BG 1200V 100A через установку отверстия
Спросите последнюю цену
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
Номер детали :APT45GP120BG
Изготовитель :Microsemi Корпорация
Описание :IGBT 1200V 100A 625W TO247
Категория :Транзисторы - IGBTs - одиночные
Семья :Транзисторы - IGBTs - одиночные
Серия :MOS 7® СИЛЫ
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Транзисторы IGBTs модуля силы APT45GP120BG IGBT одиночное

Спецификации APT45GP120BG

Состояние части Активный
Тип IGBT PT
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) 1200V
Настоящий - сборник (Ic) (Макс) 100A
Настоящий - пульсированный сборник (Icm) 170A
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 45A
Сила - Макс 625W
Переключая энергия 900µJ (дальше), 904µJ ()
Тип входного сигнала Стандарт
Обязанность ворот 185nC
Td (включено-выключено) @ 25°C 18ns/102ns
Условие испытаний 600V, 45A, 5 омов, 15V
Обратное время восстановления (trr) -
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Через отверстие
Пакет/случай TO-247-3
Пакет прибора поставщика TO-247 [B]
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.
 

Упаковка APT45GP120BG

Обнаружение

Модуль силы IGBT APT45GP120BG 1200V 100A через установку отверстияМодуль силы IGBT APT45GP120BG 1200V 100A через установку отверстияМодуль силы IGBT APT45GP120BG 1200V 100A через установку отверстияМодуль силы IGBT APT45GP120BG 1200V 100A через установку отверстия

Метки товара:

diode bridge ic

mosfet h bridge module

half bridge igbt module
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4