продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STF10N95K5 одиночные

Категории продукта

Интегральные микросхемы

 [2964]

Микросхема памяти

 [2994]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2489]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [2717]

Полевой транзистор

 [1605]

Силовой модуль БТИЗ

 [1002]

Триод диода

 [300]

Общецелевой конденсатор

 [40]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [112]

Взрыватели защиты сети

 [186]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STF10N95K5 одиночные wholesale
  • China MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STF10N95K5 одиночные wholesale

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STF10N95K5 одиночные
Спросите последнюю цену
Номер детали :STF10N95K5
Изготовитель :STMicroelectronics
Описание :MOSFET N-CH 950V 8A TO-220FP
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Серия :SuperMESH5™
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации STF10N95K5

Состояние части Активный
Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 950V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 8A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 5V @ 100µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 22nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 630pF @ 100V
Vgs (Макс) ±30V
Особенность FET -
Диссипация силы (Макс) 30W (Tc)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 800 mOhm @ 4A, 10V
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Через отверстие
Пакет прибора поставщика TO-220FP
Пакет/случай Полный пакет TO-220-3
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка STF10N95K5

Обнаружение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STF10N95K5 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STF10N95K5 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STF10N95K5 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STF10N95K5 одиночные

Метки товара:

fet transistors

fets transistors

metal oxide semiconductor field effect transistor
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4